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핀 핀 가능 가능/선택 가능한 발진기 발진기 (1676)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA612RL3A-01W6TVAO Microchip Technology DSA612RL3A-01W6TVAO -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RL3A-01W6TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 32.768kHz 25MHz 32.768kHz -
DSC6021JE1B-01D7T Microchip Technology DSC6021JE1B-01D7T -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JE1B-01D7TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 35.8907mhz, 59.8175MHz - - -
DSC612NL3A-019AT Microchip Technology DSC612NL3A-019AT -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-llga xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NL3A-019ATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz 32.768kHz - -
DSC612PI2A-01M1T Microchip Technology DSC612PI2A-01M1T -
RFQ
 ECAD 8403 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612PI2A-01M1TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 16.384MHz - -
DSC613PE2A-01KDT Microchip Technology DSC613PE2A-01KDT -
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613PE2A-01KDTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA - - - -
DSC612NI3A-013CT Microchip Technology DSC612NI3A-013CT -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NI3A-013TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 24MHz 32.768kHz - -
DSC612RI2A-01P5T Microchip Technology DSC612RI2A-01P5T -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01P5TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 32MHz 48MHz - -
DSC6021JI2B-01KQ Microchip Technology DSC6021JI2B-01KQ -
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI2B-01KQ 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm - - - -
DSC2011FE1-F0057T Microchip Technology DSC2011FE1-F0057T -
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2011FE1-F0057TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 30MHz 33MHz - -
DSC613RI2A-01P6T Microchip Technology DSC613RI2A-01P6T -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613RI2A-01P6TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 16MHz 8MHz -
DSC6061HI1B-01MCT Microchip Technology DSC6061HI1B-01MCT -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6061 CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6061HI1B-01MTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC612RE2A-01MR Microchip Technology DSC612RE2A-01MR -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RE2A-01MR 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 38.4MHz 32.768kHz - -
DSC612RI2A-01K9T Microchip Technology DSC612RI2A-01K9T -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01K9TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 25MHz 25MHz - -
DSC2311KL2-R0091 Microchip Technology DSC2311KL2-R0091 -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2311KL2-R0091 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 33.333333MHz 50MHz - -
DSC612PI2A-01PBT Microchip Technology DSC612PI2A-01PBT -
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612PI2A-01PBTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 19.2MHz 32.768kHz - -
DSC612RE3A-01M0 Microchip Technology DSC612RE3A-01M0 -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RE3A-01M0 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 16MHz 32.768kHz - -
DSC2311KI1-R0040 Microchip Technology DSC2311KI1-R0040 -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2311KI1-R0040 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 40MHz 20MHz - -
DSC612PI2A-01PAT Microchip Technology DSC612PI2A-01PAT -
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612PI2A-01PATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 19.2MHz 32.768kHz - -
DSC612RI2A-01K9 Microchip Technology DSC612RI2A-01K9 -
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01K9 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 25MHz 25MHz - -
DSC613PE2A-01KCT Microchip Technology DSC613PE2A-01KCT -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613PE2A-01KTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA - - - -
DSA2311KA1-R0024TVAO Microchip Technology DSA2311KA1-R0024TVAO -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA1-R0024TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 24MHz - -
DSA2311KA1-R0075TVAO Microchip Technology DSA2311KA1-R0075TVAO -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA1-R0075TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 20MHz 15MHz - -
DSA2311KA2-R0002TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0002TVAO -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0002TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 125MHz - -
DSA2311KA2-R0002VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0002VAO -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0002VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 125MHz - -
DSA2311KA2-R0011TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0011TVAO -
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0011TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 50MHz 50MHz - -
DSA2311KA2-R0015VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0015VAO -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0015VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 24MHz 25MHz - -
DSA2311KA2-R0076TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0076TVAO -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0076TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 20MHz 26.956522MHz - -
DSA2311KI2-R0064VAO Microchip Technology DSA2311KI2-R0064VAO -
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI2-R0064VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12.288MHz 24.999724MHz - -
DSA2311KI3-R0067TVAO Microchip Technology DSA2311KI3-R0067TVAO -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI3-R0067TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm 25MHz 16MHz - -
DSA2311KL1-R0078TVAO Microchip Technology DSA2311KL1-R0078TVAO -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL1-R0078TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 10MHz 20MHz - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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