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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT8208AI-GF-33E-80.000000T SiTime SIT8208AI-GF-33E-80.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AIRGF-33E-33.333300T SiTime SIT8208AirGF-33E-33.333300T 3.8969
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AIU2F-33E-24.000000T SiTime SIT8208AIU2F-33E-24.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8209AI-G2-33E-180.005000T SiTime SIT8209AI-G2-33E-180.005000T -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 시민 SIT8209 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 180.005 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT8209AI-G3-33E-125.000000T SiTime SIT8209AI-G3-33E-125.000000T -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 시민 SIT8209 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SIT9003AC-13-33EO-50.00000T SiTime SIT9003AC-13-33EO-50.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 50MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT3907AC-2F-33NM-80.372200T SiTime SIT3907AC-2F-33NM-80.372200T 12.6443
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 80.3722 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 10ppm - - -
SIT8208AI-GF-33E-20.000000T SiTime SIT8208AI-GF-33E-20.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 3668 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT9121AI-2B3-XXS200.000000T SiTime SIT9121AI-2B3-XXS200.000000T 2.6667
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 55MA MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT9121AI-2B2-33E100.000000T SiTime SIT9121AI-2B2-33E100.000000T 2.9327
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 25ppm - - 35MA
SIT8208AI-GF-33E-8.000000T SiTime SIT8208AI-GF-33E-8.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT5000AI-8E-33N0-16.000000T SiTime SIT5000AI-8E-33N0-16.000000T 2.0815
RFQ
 ECAD 1166 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 16MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5002AI-8E-33N0-102.400000T SiTime SIT5002AI-8E-33N0-102.400000T 5.6778
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 102.4 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT8208AC-G2-18E-33.333333T SiTime SIT8208AC-G2-18E-33.333333T 1.4148
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.333333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
SIT5002AC-2E-33VM-100.000000T SiTime SIT5002AC-2E-33VM-100.000000T 4.6909
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5002 100MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT9121AI-2B2-25E40.000000T SiTime SIT9121AI-2B2-25E40.000000T 2.9327
RFQ
 ECAD 7883 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 25ppm - - 35MA
SIT5000AC-3E-33E0-19.440000T SiTime SIT5000AC-3E-33E0-19.440000T 1.8441
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 19.44 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5002AI-2E-33S0-100.000000T SiTime SIT5002AI-2E-33S0-100.000000T 5.3958
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 100MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 5ppm - - 70µA
SIT8208AI-GF-18E-50.000000T SiTime SIT8208AI-GF-18E-50.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT3701AC-31-33C-100.000000T SiTime SIT3701AC-31-33C-100.000000T 3.5139
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 시민 SIT3701 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO SIT3701 100MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 7.5MA MEMS ± 20ppm - - -
SIT3701AI-82-33F-27.000000T SiTime SIT3701AI-82-33F-27.000000T 3.8633
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 시민 SIT3701 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO SIT3701 27 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
SIT3701AI-82-33F-40.000000T SiTime SIT3701AI-82-33F-40.000000T 3.8633
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 시민 SIT3701 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO SIT3701 40MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
SIT3907AC-22-33NY-27.000000T SiTime SIT3907AC-22-33NY-27.000000T 5.9956
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 27 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT3907AC-23-18NZ-24.000000T SiTime SIT3907AC-23-18NZ-24.000000T 5.4503
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 24 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 50ppm - - -
SIT3907AC-23-33NX-27.000000T SiTime SIT3907AC-23-33NX-27.000000T 5.4503
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 27 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 50ppm - - -
SIT3907AC-23-33NZ-24.576000T SiTime SIT3907AC-23-33NZ-24.576000T 5.4503
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 24.576 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 50ppm - - -
SIT9003AC-13-18DB-20.00000T SiTime SIT9003AC-13-18DB-20.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 9344 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 20MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 3.5MA MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 0.8µA
SIT9003AC-13-33DD-40.00000T SiTime SIT9003AC-13-33DD-40.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 40MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 4.3µA
SIT9003AC-13-33DQ-1.00000T SiTime SIT9003AC-13-33DQ-1.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 1MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - -1.00%, 00 확산 4.3µA
SIT9003AC-13-33EO-6.00000T SiTime SIT9003AC-13-33EO-6.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 6MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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