SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT9003AC-14-33ED-72.000000Y SiTime SIT9003AC-14-33ED-72.000000Y 1.8676
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 72 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 100ppm - - 4.3µA
SIT1552AI-J1-DCC-32.768E SiTime SIT1552AI-J1-DCC-32.768E 0.8219
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 시민 SIT1552 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.061 "L x 0.033"W (1.54mm x 0.84mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-UFBGA, CSPBGA TCXO SIT1552 32.768 kHz LVCMOS 1.5V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.52µA MEMS ± 20ppm - - -
SIT5001AI-2E-33VQ-40.000000X SiTime SIT5001AI-2E-33VQ-40.000000X 5.3251
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT9003AI-23-33EB-50.00000Y SiTime SIT9003AI-23-33EB-50.00000Y 1.4744
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 50MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-23-28EB-25.00000Y SiTime SIT9003AI-23-28EB-25.00000Y 1.4744
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 2.2µA
SIT5000AC-3E-33E0-19.440000Y SiTime SIT5000AC-3E-33E0-19.440000Y 1.9807
RFQ
 ECAD 8699 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 19.44 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5000AC-8E-33E0-25.000000Y SiTime SIT5000AC-8E-33E0-25.000000Y 1.9807
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 25MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AI-8E-33E0-30.720000T SiTime SIT5001AI-8E-33E0-30.720000T 4.7441
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 30.72 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT9003AI-13-25EB-47.38850Y SiTime SIT9003AI-13-25EB-47.38850Y 2.1840
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 47.3885 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 2.2µA
SIT9001AI-43-33E1-100.00000Y SiTime SIT9001AI-43-33E1-100.00000Y -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 100MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 50ppm - - 50µA
SIT9001AC-44-33E5-125.00000Y SiTime SIT9001AC-44-33E5-125.00000Y -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 125MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 100ppm - - 50µA
SIT9001AI-44-33E4-40.00000Y SiTime SIT9001AI-44-33E4-40.00000Y -
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 100ppm - - 50µA
SIT3701AI-12-33F-24.576000Y SiTime SIT3701AI-12-33F-24.576000Y 4.0178
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 시민 SIT3701 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO SIT3701 24.576 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
SIT9003AC-23-33DB-43.48350Y SiTime SIT9003AC-23-33DB-43.48350Y 1.8676
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 43.4835 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 4.3µA
SIT9003AC-23-33DB-45.32500Y SiTime SIT9003AC-23-33DB-45.32500Y 1.8676
RFQ
 ECAD 9833 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 45.325 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 4.3µA
SIT8208AI-2F-33E-32.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-32.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT9003AI-13-33EB-6.14400Y SiTime SIT9003AI-13-33EB-6.14400Y 2.1840
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 6.144 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT3907AC-CF-25NZ-24.704000Y SiTime SIT3907AC-CF-25NZ-24.704000Y 9.4696
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 24.704 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 34ma MEMS ± 10ppm - - -
SIT9003AC-23-33SD-33.30000Y SiTime SIT9003AC-23-33SD-33.30000Y 1.8676
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 33.3 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT8208AI-8F-33E-35.328000Y SiTime SIT8208AI-8F-33E-35.328000Y 4.1097
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.328 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT9121AI-1D2-33E122.880000Y SiTime SIT9121AI-1D2-33E122.880000Y 2.9768
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 122.88 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 25ppm - - 35MA
SIT8208AC-G3-33E-19.200000Y SiTime SIT8208AC-G3-33E-19.200000Y 1.2906
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 19.2 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
FJ2400002 Diodes Incorporated FJ2400002 1.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Saronix-Ecera ™ FJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - 10µA
DSC1001AL5-008.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-008.0000 2.1300
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001BI2-030.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-030.0000 0.9600
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BL5-050.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-050.0000 2.0900
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001CL5-033.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-033.0000 2.0400
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001DI5-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-048.0000 1.8600
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033CI1-010.0000 Microchip Technology DSC1033CI1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033CI1-033.0000 Microchip Technology DSC1033CI1-033.0000 -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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