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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT9001AC-44-33E2-50.00000T SiTime SIT9001AC-44-33E2-50.00000T -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 시민 SIT9001 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) SIT9001 50MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 34ma MEMS ± 100ppm - - 50µA
SIT9003AC-24-33ED-24.00000T SiTime SIT9003AC-24-33ED-24.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 24 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 100ppm - - 4.3µA
SIT9003AC-23-33ED-12.00000T SiTime SIT9003AC-23-33ED-12.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 12MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-13-33EO-25.00000T SiTime SIT9003AI-13-33EO-25.00000T 1.3994
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT3907AI-CF-25NH-81.920000T SiTime SIT3907AI-CF-25NH-81.920000T 14.3733
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 81.92 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 10ppm - - -
SIT9121AI-1D2-33E161.132800T SiTime SIT9121AI-1D2-33E161.132800T 2.9327
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 161.1328 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 25ppm - - 35MA
SIT9121AI-1D3-33E33.330000T SiTime SIT9121AI-1D3-33E33.330000T 2.6667
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT8208AI-G3-25E-25.000000T SiTime SIT8208AI-G3-25E-25.000000T 1.3174
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 25MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SIT8208AC-3F-33E-66.666670T SiTime SIT8208AC-3F-33E-66.666670T 3.7918
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66667 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT9003AC-23-33SO-30.00000T SiTime SIT9003AC-23-33SO-30.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 30MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT3907AC-22-33NB-12.288000T SiTime SIT3907AC-22-33NB-1288000T 5.9956
RFQ
 ECAD 3684 0.00000000 시민 SIT3907 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 DCXO SIT3907 12.288 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 34ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT8208AI-8F-33E-10.000000T SiTime SIT8208AI-8F-33E-10.000000T 4.1097
RFQ
 ECAD 9115 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT5002AC-8E-33VQ-125.000000T SiTime SIT5002AC-8E-33VQ-125.000000T 4.9383
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5002 125MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5002AI-3E-25E0-125.000000T SiTime SIT5002AI-3E-25E0-125.000000T 5.6778
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 125MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5002AI-3E-33E0-125.000000T SiTime SIT5002AI-3E-33E0-125.000000T 5.6778
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 125MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5002AI-8E-18E0-133.330000T SiTime SIT5002AI-8E-18E0-133.330000T 5.6778
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5002 133.33 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 5ppm - - 30ma
SIT5002AI-8E-33VQ-156.250000T SiTime SIT5002AI-8E-33VQ-156.250000T 7.3895
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 시민 SIT5002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5002 156.25 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5021AI-2DE-33E-100.000000T SiTime SIT5021AI-2DE-33E-100.000000T 12.1336
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 시민 SIT5021 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO SIT5021 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 5ppm - - 35MA
SIT5021AI-2DE-33VM156.250000T SiTime SIT5021AI-2DE-33VM156.250000T 13.4210
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 시민 SIT5021 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo SIT5021 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 55MA MEMS ± 5ppm ± 25ppm - -
SIT8208AC-2F-33E-22.579200T SiTime SIT8208AC-2F-33E-22.579200T 3.6149
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.5792 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-2F-33E-4.000000T SiTime SIT8208AC-2F-33E-4.000000T 3.6149
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-2F-33E-40.000000T SiTime SIT8208AC-2F-33E-40.000000T 3.6149
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-3F-33E-66.666700T SiTime SIT8208AC-3F-33E-66.666700T 3.7918
RFQ
 ECAD 8388 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6667 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-8F-25E-27.000000T SiTime SIT8208AC-8F-25E-27.000000T 3.7918
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-8F-33E-24.576000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-24.576000T 3.7918
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-8F-33E-27.000000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-27.000000T 3.7918
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AC-8F-33E-36.864000T SiTime SIT8208AC-8F-33E-36.864000T 3.7918
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36.864 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208ACF82-33E-19.200000T SiTime SIT8208ACF82-33E-19.200000T 1.4864
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.2 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT8208AC-G1-18E-37.400000T SiTime SIT8208AC-G1-18E-37.400000T 1.7361
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 37.4 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AC-GF-18E-17.611776T SiTime SIT8208AC-GF-18E-17.611776T 3.6149
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 17.611776 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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