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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SG5032EAN 125.000000M-KEGA3 EPSON SG5032EAN 125.000000M-KEGA3 4.8677
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 엡슨 SG5032 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz lvpecl 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 65MA 결정 - - 20MA
SG5032VAN 106.250000M-KEGA3 EPSON SG5032VAN 106.250000M-KEGA3 -
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 엡슨 SG5032 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 30ma 결정 - - 20MA
SG-615P 18.0000MC3:ROHS EPSON SG-615P 18.0000MC3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 18 MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 100ppm - 12MA
SG-615P 2.0000MC3:ROHS EPSON SG-615P 2.0000MC3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 2 MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 100ppm - 12MA
SG-615P 22.1184MC3:ROHS EPSON SG-615P 22.1184MC3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 22.1184 MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 100ppm - 12MA
SG-615P 3.2768MC3:ROHS EPSON SG-615P 3.2768MC3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 3.2768 MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 100ppm - 12MA
SG-615P 8.0000MC3: ROHS EPSON SG-615P 8.0000MC3 : ROHS 4.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 8 MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 100ppm - 12MA
SG-615PCG 16.3840MB3:ROHS EPSON SG-615PCG 16.3840MB3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 16.384 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 12MA 결정 ± 50ppm - 10MA
SG-615PCG 25.0000MM3:ROHS EPSON SG-615PCG 25.0000mm3 : ROHS -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 엡슨 SG-615 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 25MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 12MA 결정 - - 10MA
DSC1004BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1004CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004CI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1030BC1-010.0000 Microchip Technology DSC1030BC1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 10MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1030BE1-024.5760 Microchip Technology DSC1030BE1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 24.576 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033AI1-050.0000 Microchip Technology DSC1033AI1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1033 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033CE1-008.0000 Microchip Technology DSC103333CE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033CI2-008.0000 Microchip Technology DSC1033CI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1033DI2-035.0000 Microchip Technology DSC103333DI2-035.0000 -
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 35MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1033DI2-050.0000 Microchip Technology DSC103333DI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1101BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1101BI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1103BL1-150.0000 Microchip Technology DSC1103BL1-150.0000 -
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1121NI1-025.0000 Microchip Technology DSC1121NI1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1122CI2-148.3516 Microchip Technology DSC1122CI2-148.3516 -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 148.3516 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1123DE2-054.0000 Microchip Technology DSC1123DE2-054.0000 -
RFQ
 ECAD 1467 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 54 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1123DI2-106.2500 Microchip Technology DSC1123DI2-106.2500 -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1124BI2-100.0000 Microchip Technology DSC1124BI2-100.0000 2.3900
RFQ
 ECAD 6538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
XLH536048.000JS4I8 Renesas Electronics America Inc XLH536048.000JS4I8 -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xlh 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 48MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536050.000JS4I8 Renesas Electronics America Inc XLH536050.000JS4I8 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xlh 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
357LC5C027M1450 CTS-Frequency Controls 357LC5C027M1450 2.0752
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 cts- 제어 주파수 357 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 27.145 MHz HCMOS, TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 25ppm ± 80ppm -
357LD5C040M0000 CTS-Frequency Controls 357LD5C040M0000 2.1210
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 cts- 제어 주파수 357 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 40MHz HCMOS, TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 25ppm ± 100ppm -
625L3I003M20000 CTS-Frequency Controls 625L3I003M20000 1.0577
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 cts- 제어 주파수 625 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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