SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6011ML3B-003.0720T Microchip Technology DSC6011ML3B-003.0720T -
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 3.072 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011ML3B-003.0720TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
3QHTF21-112.410-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-112.410 -oe 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 112.41 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-112.410 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
8NE-33.333MCM-T TXC CORPORATION 8NE-33.333MCM-T 1.2019
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 TXC Corporation 8ne 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 887-8NE-33.333MCM-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
18QHTF22-31.61388-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-31.61388-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.61388 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-31.61388 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9365AI-4B3-25E77.760000 SiTime SIT9365AI-4B3-25E77.760000 10.1900
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
SIT5356AICFQ-25N0-24.553500 SiTime SIT5356AICFQ-25N0-24.553500 99.6000
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 시민 SIT5356, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 24.5535 MHz 사인파를 사인파를 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 100ppb - -
AST3TQ53-V-40.000MHZ-1-C-T5 Abracon LLC AST3TQ53-V-40.000MHZ-1-C-T5 -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 Abracon LLC AST3TQ53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - 6MA 결정 ± 100ppb - -
AST3TQ53-T-30.720MHZ-1-SW-T5 Abracon LLC AST3TQ53-T-30.720MHZ-1-SW-T5 -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 Abracon LLC AST3TQ53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 30.72 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - 6MA 결정 ± 100ppb - -
SIT8208AC-8F-25S-16.367667T SiTime SIT8208AC-8F-25S-16.367667T 3.7918
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.367667 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
AMPMGFA-28.6363T Abracon LLC AMPMGFA-28.6363T -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.6363 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -
SIT1602BI-82-28S-18.432000 SiTime SIT1602BI-82-28S-18.432000 1.5000
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT1602BI-81-18S-72.000000 SiTime SIT1602BI-81-18S-72.000000 1.6000
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 20ppm - -
ASTMUPCD-33-3.6864MHZ-EY-E-T Abracon LLC astmupcd-33-3.6864mhz-ey-et -
RFQ
 ECAD 5241 0.00000000 Abracon LLC astmupc 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.6864 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 10ppm - 31MA
FCO5K03276818CDD00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO5K03276818CDD00 0.6105
RFQ
 ECAD 9775 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-5K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-FCO5K03276818CDD00TR 귀 99 1,000 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 25ppm - - -
ASVMPC-32.000MHZ-Z-T Abracon LLC ASVMPC-32.000MHz-ZT -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Abracon LLC ASVMP, Pure Silicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS - - - 22MA
ASVMPC-26.000MHZ-LY-T3 Abracon LLC ASVMPC-26.000MHz-let-T3 -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Abracon LLC ASVMP, Pure Silicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 35MA MEMS - - - 22MA
SIT3373AI-4E3-25NH245.760000 SiTime SIT3373AI-4E3-25NH245.760000 10.2000
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 245.76 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 145ppm -
SIT3372AC-1B2-28NB10.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-28NB10.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 10MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 20ppm - -
SIT8208AI-3F-18E-12.000000X SiTime SIT8208AI-3F-18E-12.000000X 4.8668
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
AMJMAFB-90.0000T3 Abracon LLC AMJMAFB-90.0000T3 -
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Abracon LLC AMJM 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 90MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - 80µA
SIT1602BI-12-28E-50.000000 SiTime SIT1602BI-12-28E-50.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9120AC-1B1-33S133.333333 SiTime SIT9120AC-1B1-33S133.333333 5.7100
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 133.333333 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 20ppm - -
3QHM53C0.25-65.536 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53C0.25-65.536 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 65.536 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53C0.25-65.536 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드
SIT1618BE-73-33N-20.000000 SiTime SIT1618BE-73-33N-20.000000 7.2500
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 시민 SIT1618B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
18QHTF21-114.000-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-114.000-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 114 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-114.000-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AI-1E9-33NZ280.550000 SiTime SIT3373AI-1E9-33NZ280.550000 9.2900
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 280.55 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 1560ppm -
SIT9365AI-1B3-30N155.520000 SiTime SIT9365AI-1B3-30N155.520000 10.1900
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 155.52 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SIT9120AI-2C1-XXE106.250000 SiTime SIT9120AI-2C1-XXE106.250000 5.5200
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 20ppm - -
SIT8208AI-G1-18E-14.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-18E-14.000000Y 2.0184
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 14 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AI-8F-33S-77.760000T SiTime SIT8208AI-8F-33S-77.760000T 4.1097
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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