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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SG-8101CA 13.7680M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 13.7680M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 13.768 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA13.7680M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
OS400-1005-024 RFX Limited OS400-1005-024 213.0500
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 RFX Limited OS400 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.817 "L x 0.817"W (20.75mm x 20.75mm) 0.394 "(10.00mm) 구멍을 구멍을 OCXO 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4203-OS400-1005-024 귀 99 8542.39.0001 1 결정 ± 10ppb
DSC1003DI2-024.5760 Microchip Technology DSC1003DI2-024.5760 0.9100
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 24.576 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
QMQF326D33-2.5B-28.000 Mercury United Electronics, Inc. QMQF326D33-2.5B-28.000 33.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 28 MHz LVD 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF326D332.5B-28.000 귀 99 8541.60.0050 3 - 26MA (유형) 결정 ± 2.5ppm - -
DSC1001CI2-033.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-033.0000T -
RFQ
 ECAD 7153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
ECX-H35BN-60.000 ECS Inc. ECX-H35BN-60.000 5.8330
RFQ
 ECAD 5423 0.00000000 ECS Inc. ECX-H ECSPRESSCON ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 50ppm - - -
FCO7C050206A3CEI00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited fco7c050206a3cei00 0.6105
RFQ
 ECAD 5485 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-7C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.17 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco7c050206a3cei00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - -
SIT3372AI-2E3-30NC10.240000 SiTime SIT3372AI-2E3-30NC10.240000 10.2000
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 10.24 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 25ppm - -
STC22C30O38-50.000M Suntsu Electronics, Inc. STC22C30O38-50.000m 2.2600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. STC22C 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2388-STC22C30O38-50.000m 귀 99 8541.60.0080 1 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2.5ppm - - -
SIT8209AC-G2-18S-166.666000 SiTime SIT8209AC-G2-18S-166.666000 3.1000
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8209 166.666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - - 70µA
CA32C12504GNT CTS-Frequency Controls CA32C12504GNT 2.0425
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz HCMOS, TTL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 30ppm - - 10µA
SIT8208AI-3F-33S-24.576000Y SiTime SIT8208AI-3F-33S-24.576000Y 4.1097
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
DSC1123AI2-074.2500T Microchip Technology DSC1123AI2-074.2500T -
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1123 74.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123AI2-074.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
18QHTF22-10.050-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-10.050-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.05 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-10.050-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-4B2-25NY148.500000 SiTime SIT3372AC-4B2-25NY148.500000 13.0000
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.5 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
3QHM572D3.0-3.000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM572D3.0-3.000 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -45 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 3MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM572D3.0-3.000 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 결정 ± 50ppm - -3.00%,, 스프레드
SIT3372AI-4B3-25NY35.437431 SiTime SIT3372AI-4B3-25NY35.437431 8.6300
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 35.437431 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT3372AC-1E9-28NC156.250000 SiTime SIT3372AC-1E9-28NC156.250000 10.9200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 156.25 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm - - -
SIT1602BC-33-18N-72.000000 SiTime SIT1602BC-33-18N-72.000000 1.1500
RFQ
 ECAD 4190 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - -
SIT8208AI-2F-33E-54.000000X SiTime SIT8208AI-2F-33E-54.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
25QHTF32-18.440-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-18.440-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.44 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-18.440-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G1-18E-33.333000X SiTime SIT8208AI-G1-18E-33.333000X 2.4360
RFQ
 ECAD 1969 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 20ppm - - 30ma
633L5005C2T CTS-Frequency Controls 633L5005C2T 3.0856
RFQ
 ECAD 3772 0.00000000 cts- 제어 주파수 633 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - -
591AC000106DG Skyworks Solutions Inc. 591ac000106dg 7.7326
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI591 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 591AC 106 kHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 125MA 결정 ± 20ppm - - 75MA
18QHTF22-67.596-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-67.596-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 67.596 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-67.596-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
AMPMADA-24.545454T Abracon LLC AMPMADA-24.545454T -
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.5455 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -
MQF576D25-60.000-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. MQF576D25-60.000-1.0/-40+85 37.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 60MHz LVD 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-MQF576D25-60.000-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 1ppm - - 18MA (유형)
MQF326D25-133.3333-2.5/-30+85 Mercury United Electronics, Inc. MQF326D25-133.3333-2.5/-30+85 33.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 133.3333 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2425-MQF326D25-133.3333-2.5/-30+85 귀 99 8541.60.0060 1 활성화/비활성화 27ma 결정 ± 2.5ppm - - 18MA (유형)
SIT8209AI-82-28E-166.660000 SiTime SIT8209AI-82-28E-166.660000 3.2900
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166.66 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9120AI-1B1-25S156.250000 SiTime SIT9120AI-1B1-25S156.250000 5.5100
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 20ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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