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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
3QHTF32-8.400-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-8.400-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.4 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-8.400-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
3QHTF22-71.250-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-71.250-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 71.25 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-71.250-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8008AI-12-33E-1.000000 SiTime SIT8008AI-12-33E-1.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 시민 SIT8008 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - - 4MA
SIT8208AC-GF-18E-66.666000X SiTime SIT8208AC-GF-18E-66.666000X 4.3488
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SG7050VEN 125.0000M-CDGA0 EPSON SG7050VEN 125.0000M-CDGA0 6.8806
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 엡슨 sg7050ven 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) sg7050ven 125MHz LVD 3.3v 다운로드 114-SG7050VEN125.0000M-CDGA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - - 15MA
SG-8101CA 58.3200M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 58.3200M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 5254 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 58.32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA58.3200M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
EG-2121CA 200.0000M-LGPNL0 EPSON EG-2121CA 200.0000M-LGPNL0 -
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 엡슨 EG-2121CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 200MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - 20MA
3QHTF21-13.42422-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-13.42422-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.42422 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-13.42422-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF21-42.543-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-42.543-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 42.543 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-42.543-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF21-10.667-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-10.667-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.667 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-10.667-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BI-12-18N-12.000000 SiTime SIT1602BI-12-18N-12.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.1ma MEMS ± 25ppm - -
SIT5157AI-FD-25N0-100.000000 SiTime SIT5157AI-FD-25N0-100.000000 40.0200
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 시민 SIT5157, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 100MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 2.5ppm - -
AX7DAF4-148.5000T Abracon LLC Ax7daf4-148.5000t -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 148.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 25ppm - 65MA
AX5DAF2-311.0400C Abracon LLC AX5DAF2-311.0400C -
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 311.04 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 80ma 결정 ± 20ppm - 70ma
SIT9120AI-1C1-33S50.000000 SiTime SIT9120AI-1C1-33S50.000000 5.5200
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 20ppm - -
VCC1-A3D-10M0000000 Microchip Technology VCC1-A3D-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-A3D-10M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
FO7HHAAE4.096-T1 Fox Electronics FO7HHAAE4.096-T1 -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 폭스 폭스 장치 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 631-fo7Hhaae4.096-t1tr 귀 99 8542.39.0001 1,000
EG-2102CA 300.0000M-LGRNB EPSON EG-2102CA 300.0000M-LGRNB -
RFQ
 ECAD 1762 0.00000000 엡슨 EG-2102CA 대부분 쓸모없는 -5 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 300MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - 32MA
DSC1223NI2-200.0000T Microchip Technology DSC1223NI2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI2-200.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
SIT1602BI-22-28S-66.000000 SiTime SIT1602BI-22-28S-66.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9365AC-2B1-25N325.000000 SiTime SIT9365AC-2B1-25N325.000000 13.7100
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 325MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 20ppm - -
SG-8018CA 97.0000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 97.0000M-TJHPA0 0.7121
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 97 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA97.0000M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT1602BI-81-25E-66.666660 SiTime SIT1602BI-81-25E-66.666660 1.6000
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66666 MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2MA MEMS ± 20ppm - -
25QHTF53-12.5458-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-12.5458 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.5458 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-12.5458 -OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
CHT32C2602PNT CTS-Frequency Controls CHT32C2602PNT 1.3744
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 cts- 제어 주파수 CHT32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS, TTL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 100ppm - - 10µA
SG-8101CA 145.2000M-TCHPA0 EPSON SG-8101CA 145.2000M-TCHPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 2700 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 145.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA145.2000M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
3QHTF32-24.572675-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-24.572675-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.572675 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-24.572675-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-50.524667-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-50.524667-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.524667 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-50.52467-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-21-33S-66.666660 SiTime SIT8208AC-21-33S-66.666660 3.2400
RFQ
 ECAD 9247 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66666 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - -
3QHTF22-27.12015-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-27.12015-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.12015 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-27.12015-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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