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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
525M32010CTR CTS-Frequency Controls 525M32010ctr 1.9416
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 cts- 제어 주파수 525 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 525 32 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-525M32010ctr 귀 99 8541.60.0060 3,000 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
SIT3372AI-4E2-28NX70.656000 SiTime SIT3372AI-4E2-28NX70.656000 13.2900
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 70.656 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 370ppm - -
DSC1102BI2-114.2850T Microchip Technology DSC1102BI2-114.2850T -
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 114.285 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
SG-8018CG 50.1000M-TJHPA0 EPSON SG-8018CG 50.1000M-TJHPA0 0.5606
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.1 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG50.1000M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT3373AC-1B2-30NY223.000000 SiTime SIT3373AC-1B2-30NY233.000000 10.7800
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 223 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 770ppm -
18QHTF32-22.279-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-22.279-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.279 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-22.279-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
ASG-D-V-B-1.24416GHZ-T Abracon LLC ASG-DVB-1.24416GHZ-T -
RFQ
 ECAD 8640 0.00000000 Abracon LLC ASG-D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 1.24416 GHZ LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 35ppm - -
25QHTF22-108.800-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-108.800-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 108.8 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-108.800-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-33E-60.000000X SiTime SIT8208AI-G2-33E-60.000000X 1.9722
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 60MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SG-8018CA 5.5300M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 5.5300M-TJHPA0 0.7121
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 5.53 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA5.5300M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT8208AI-3F-28S-3.570000T SiTime SIT8208AI-3F-28S-3.570000T 4.1097
RFQ
 ECAD 4386 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.57 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
CA50C5004IMT CTS-Frequency Controls CA50C5004IMT 1.1322
RFQ
 ECAD 5120 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA50 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q200 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS, TTL 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 30ppm - - 10µA
DSC1103NL2-098.3040T Microchip Technology DSC1103NL2-098.3040T -
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 98.304 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
XG-2102CA 200.0000M-LGPAL3 EPSON XG-2102CA 200.0000M-LGPAL3 7.3811
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 엡슨 XG-2102CA 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 200MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - 15MA
DSC6011ME2B-050.0000T Microchip Technology DSC6011ME2B-050.0000T -
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
SG-8101CG 49.666670M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 49.666670M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 49.66667 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG49.666670M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT1602BC-22-33N-7.372800 SiTime SIT1602BC-22-33N-7.372800 1.3800
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
521L26025ITR CTS-Frequency Controls 521L26025IT 1.9416
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 cts- 제어 주파수 521 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 521 26 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-521L26025IT 귀 99 8541.60.0060 3,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2.5ppm - - 10µA
SIT3372AI-2B3-30NX50.000000 SiTime SIT3372AI-2B3-30NX50.000000 8.5400
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 50MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT5022AI-1CE-33VB311.040000 SiTime SIT5022AI-1CE-33VB311.040000 16.5306
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 시민 SIT5022 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo SIT5022 311.04 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT5022AI-1CE-33VB311.040000TR 귀 99 8542.39.0001 250 - 69ma MEMS ± 5ppm ± 50ppm - -
SIT3372AC-4E2-25NU10.240000 SiTime SIT3372AC-4E2-25NU10.240000 13.0100
RFQ
 ECAD 8563 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 10.24 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT8208AC-82-28S-30.000000 SiTime SIT8208AC-82-28S-30.000000 3.2300
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 25ppm - -
SG-8018CB 4.6460M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 4.6460M-TJHSA0 0.6363
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.646 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB4.6460M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
8WE-37.400MCJ-T TXC CORPORATION 8WE-37.400MCJ-T 1.1312
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 TXC Corporation 8 우리 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 887-8WE-37.400MCJ-TTR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
SIT3372AI-4E9-33NB100.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-33NB100.000000 11.2200
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 100MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 10ppm -
SIT3372AC-4B3-30NY148.425787 SiTime SIT3372AC-4B3-30NY148.425787 9.9000
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.425787 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT3373AI-1E9-28NG312.500000 SiTime SIT3373AI-1E9-28NG312.500000 9.2900
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 312.5 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 110ppm -
18QHTF22-98.500-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-98.500-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98.5 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-98.500-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
3QHM53D0.5-37.125 Mercury United Electronics, Inc. 3QHM53d0.5-37.125 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 SSXO 37.125 MHz CMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHM53D0.5-37.125 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 15MA (유형) 결정 ± 50ppm - -0.50%, 50 스프레드 -
SXO53C3C071-12.000M Suntsu Electronics, Inc. SXO53C3C071-12.000M 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Suntsu Electronics, Inc. SXO53C 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 16MA 결정 ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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