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발진기 (651585)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
SG-8018CA 131.0720M-TJHSA0	0.7121	RFQ	3462	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		131.072 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CA131.0720M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
ASTMLPE-27.000MHZ-EJ-ET	1.8400	RFQ	3583	Abracon LLC	astmlp	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-		4.2MA
18QHTF53-100.0025-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		100.0025 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-100.0025-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
FCO2C04800018CDY00	0.6561	RFQ	8720	후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한	fco-2c	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.038 "(0.96mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		48MHz	CMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	4972-FCO2C04800018CDY00TR	귀 99		3,000	활성화/비활성화	7ma	결정	± 25ppm	-	-	-
SIT1602BC-22-18E-12.000000	1.3800	RFQ	5743	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12MHz	HCMOS, LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.1ma	MEMS	± 25ppm	-	-
ASTMHTA-125.000MHz-XR-ET	-	RFQ	1404	Abracon LLC	astmht	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	MEMS	± 25ppm	-		-
SIT8208AI-G3-28E-33.333000X	1.6938	RFQ	8742	시민	SIT8208	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SIT8208	33.333 MHz	lvcmos, lvttl	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	33MA	MEMS	± 50ppm	-	-	31MA
SVC75C3A16B2-122.880M	0.4800	RFQ	3181	Suntsu Electronics, Inc.	SVC75C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 60 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		122.88 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2388-SVC75C3A16B2-122.880M	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	25MA	결정	± 50ppm	± 100ppm	-	-
DSC1004DI2-050.0000T	-	RFQ	4572	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
SIT9365AI-2E1-28E155.520000	14.0000	RFQ	7949	시민	SIT9365, 6 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)		155.52 MHz	LVD	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화		MEMS	± 20ppm	-	-
SIT5356AECFQ-28E0-19.440000	116.7700	RFQ	5890	시민	SIT5356, 5 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	10-smd,, 없음	TCXO		19.44 MHz	사인파를 사인파를	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화		MEMS	± 100ppb	-	-
SG-8101CG 145.6500M-TCHSA0	2.0796	RFQ	4932	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	145.65 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CG145.6500M-TCHSA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	1.1µA
SIT3372AC-2E9-25NB148.350000	10.9200	RFQ	9867	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		148.35 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	84ma	MEMS	± 35ppm	± 10ppm	-	-
25QHTF57-12.3667-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12.3667 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-12.3667-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
AX5MBF4-148.351648T	-	RFQ	4348	Abracon LLC	ClearClock ™ AX5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.059 "(1.50mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)		148.351648 MHz	CML	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	85MA	결정	± 20ppm	-		85MA
25QHTF53-9.748-OE	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		9.748 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-9.748-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
SG-8101CE 25.1658M-TBGSA0	0.7449	RFQ	7761	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	25.1658 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CE25.1658M-TBGSA0TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 15ppm	-	-	1.1µA
fo3hlbbm12.0-t2	-	RFQ	2464	폭스 폭스 장치	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	631-FO3HLBBM12.0-T2TR	귀 99	8542.39.0001	2,000
ASCO-13.000MHZ-EK-T	-	RFQ	6343	Abracon LLC	아스코	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		13MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화	4.5MA	결정	± 30ppm	-		-
637L11003I3T	2.9983	RFQ	1899	CTS- 제어 주파수	637	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		110MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	66MA	결정	± 50ppm	-		-
581EL16305ITT	16.6347	RFQ	5252	CTS- 제어 주파수	581	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.079 "(2.00mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	TCXO		16.384 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	110-581EL16305ITTTR	귀 99	8541.60.0080	1,000	대기 (다운 전원)	9.5MA	결정	± 500ppb	-	-	10µA
FCO5C020250A3CCU00	0.6105	RFQ	6817	후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한	FCO-5C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20.25 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	4972-FCO5C020250A3CCU00tr	귀 99		1,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	-
fo5hskbm26.0- 볼크	-	RFQ	5934	폭스 폭스 장치	*	대부분	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	631-FO5HSKBM26.0- 볼크	귀 99	8542.39.0001	10
VMQF326D33-66.6667-1.0/-40+85	35.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo		66.6667 MHz	LVD	3.3v	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-VMQF326D33-66.6667-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0060	3	진폭 진폭	26MA (유형)	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
SIT3372AC-2E9-28NC50.000000	10.9200	RFQ	2559	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		50MHz	LVD	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	84ma	MEMS	± 35ppm	-	-	-
SG-8018CA 76.2700M-TJHPA0	0.7121	RFQ	3100	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		76.27 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CA76.2700M-TJHPA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	3.5MA
SG5032CAN 38.400000M-TJGA3	-	RFQ	8497	엡슨	SG5032CAN	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		38.4 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	대기 (다운 전원)	30ma	결정	± 50ppm	-		-
18QHTF57-78.752-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		78.752 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-78.752-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
634E12503I3T	3.7102	RFQ	6006	CTS- 제어 주파수	634p/l	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	88ma	결정	± 50ppm	-	-	22MA
SG-8101CA 50.2900M-TCHSA0	1.6842	RFQ	7699	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	50.29 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CA50.2900M-TCHSA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	1.1µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (651585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²