SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
WTL3L60430VH WTL WTL3L60430VH 0.6800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 WTL TC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL3L60430VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 15µA
WTL3C60576VH WTL WTL3C60576VH -
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 WTL VC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 26 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL3C60576VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - 2MA 결정 ± 500ppb - -
WTL2L60492VH WTL WTL2L60492VH 2.5000
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.5792 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60492VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL2L60493VH WTL WTL2L60493VH 2.5000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60493VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL1L60568VH WTL WTL1L60568VH 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 WTL TC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) - 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL1L60568VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL2L60487VH WTL WTL2L60487VH 1.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 45.1584 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60487VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL3L60712VH WTL WTL3L60712VH -
RFQ
ECAD 3773 0.00000000 WTL TC3 대부분 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL3L60712VH 귀 99 8541.60.0060 100 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 30ppm - - -
WTL2L60483VH WTL WTL2L60483VH 1.7800
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60483VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL7L60575VH WTL WTL7L60575VH 1.1500
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 WTL TC7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL7L60575VHTR 귀 99 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL2L60572VH WTL WTL2L60572VH -
RFQ
ECAD 7641 0.00000000 WTL TC2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL2L60572VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 15µA
WTL3L60429VH WTL WTL3L60429VH 2.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 WTL TC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL3L60429VHTR 귀 99 8541.60.0010 1 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 50ppm - - -
WTL2L60571VH WTL WTL2L60571VH 0.9800
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 WTL TC2 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL2L60571VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 15µA
WTL2L60727VH WTL WTL2L60727VH 1.1200
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 WTL - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000
WTL2L60482VH WTL WTL2L60482VH 2.5000
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.5792 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60482VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL7L60514VH WTL WTL7L60514VH 0.6300
RFQ
ECAD 4616 0.00000000 WTL TC7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL7L60514VHTR 귀 99 8541.60.0050 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL2L60485VH WTL WTL2L60485VH 2.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60485VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL7L60513VH WTL WTL7L60513VH 1.1500
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 WTL TC7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL7L60513VHTR 귀 99 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL5L60713VH WTL WTL5L60713VH -
RFQ
ECAD 2209 0.00000000 WTL TC5 대부분 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.2 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL5L60713VH 귀 99 8541.60.0060 50 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
WTL2L60481VH WTL WTL2L60481VH 2.5000
RFQ
ECAD 90 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60481VH 귀 99 8541.60.0050 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - 10µA
WTL3C60577VH WTL WTL3C60577VH 1.4000
RFQ
ECAD 4967 0.00000000 WTL VC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 28.8 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL3C60577VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - 2MA ± 500ppb - -
WTL1B60661VH WTL WTL1B60661VH -
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 WTL FASTXO 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.033 "(0.85mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 96 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL1B60661VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 25ppm - - 20MA
WTL7L60574VH WTL WTL7L60574VH 1.1500
RFQ
ECAD 3524 0.00000000 WTL TC7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL7L60574VHTR 귀 99 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL7L60573VH WTL WTL7L60573VH 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 WTL TC7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.384 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL7L60573VHTR 귀 99 8541.60.0050 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL2L60484VH WTL WTL2L60484VH 2.5000
RFQ
ECAD 293 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60484VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 결정 ± 25ppm -
WTL3L60431VH WTL WTL3L60431VH 0.7500
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 WTL TC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL3L60431VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 15µA
WTL2L60488VH WTL WTL2L60488VH 1.7800
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60488VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL2L60486VH WTL WTL2L60486VH 1.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 WTL TC2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL2L60486VH 귀 99 8541.60.0060 10 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
WTL1L60569VH WTL WTL1L60569VH 1.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 WTL TC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) - 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL1L60569VHTR 귀 99 8541.60.0060 1 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 10µA
WTL3C60578VH WTL WTL3C60578VH 8.5000
RFQ
ECAD 400 0.00000000 WTL VC3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 32 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2845-WTL3C60578VHTR 귀 99 8541.60.0060 1 - 2MA 결정 ± 500ppb - - -
WTL2L60570VH WTL WTL2L60570VH 0.9800
RFQ
ECAD 6361 0.00000000 WTL TC2 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2845-WTL2L60570VHTR 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고