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발진기 (1334)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
QTM216E-25.000MDM-T QST QTM216E-25.000MDM-T 1.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 귀 99 8541.60.0060 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM252E-40.000MDE-T QST QTM252E-40.000MDE-T 0.8910
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 QST QTM252E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216E-30.000MBE-T QST QTM216E-30.000mbe-t 0.8910
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM252E-33.333MBE-T QST QTM252E-33.333MBE-T 0.8910
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 QST QTM252E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM750-50.000MCD-T QST QTM750-50.000MCD-T 0.7776
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 2.5V 다운로드 귀 99 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 25ppm - - -
QTM216E-37.400MBM-T QST QTM216E-37.400MBM-T -
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216E-24.576MBE-T QST QTM216E-24.576MBE-T 0.7333
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTT216-25.000MBN-T QST QTT216-25.000MBN-T 1.1340
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 QST QTT216 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 - 2MA 결정 ± 2ppm - - -
QTT216-19.200MBS-T QST QTT216-19.200MBS-T 1.1340
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 QST QTT216 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 19.2 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0050 3,000 - 2MA 결정 ± 2ppm - - -
QTM252-20.000MBE-T QST QTM252-20.000mbe-t 0.5867
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 QST QTM252 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0050 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216-125.000MBE-T QST QTM216-125.000mbe-t -
RFQ
 ECAD 2308 0.00000000 QST QTM216 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.033 "(0.83mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3001-QTM216-125.000mbe-ttr 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM325-60.000MBE-T QST QTM325-60.000mbe-t 0.7128
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 QST QTM325 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM750-166.000MDE-T QST QTM750-166.000MDE-T 1.8667
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216E-40.000MDM-T QST QTM216E-40.000MDM-T 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 귀 99 8541.60.0060 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216E-38.400MDJ-T QST QTM216E-38.400MDJ-T 0.9720
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTV750P-155.520MBG-T QST QTV750P-155.520MBG-T -
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 QST QTV750P 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 80ma 결정 ± 50ppm ± 50ppm - -
QTT325-16.3676MBG-T QST QTT325-16.3676MBG-T 2.2900
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 QST QTT325 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 16.3676 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - 3001-QTT325-16.3676MBG-TTR 1 - 2MA 결정 ± 500ppb - - -
QTM325-30.000MCE-T QST QTM325-30.000mce-t 0.7128
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 QST QTM325 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz CMOS 2.5V 다운로드 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM750-25.000MCE-T QST QTM750-25.000MCE-T 0.7290
RFQ
 ECAD 9041 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM252E-24.000MCM-T QST QTM252E-24.000mcm-t 1.0530
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 QST QTM252E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM216E-25.000MBJ-T QST QTM216E-25.000MBJ-T 0.9720
RFQ
 ECAD 7049 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS (EMI) 3.3v 다운로드 귀 99 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM750-166.000MBE-T QST QTM750-166.000mbe-t 1.8667
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM532-120.000MDE-T QST QTM532-120.000MDE-T -
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 QST QTM532 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 3001-QTM532-120.000MDE-TTR 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
QTM750-8.000MBE-T QST QTM750-8.000mbe-t 1.4300
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3001-QTM750-8.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTS532C-26.000MBP-T QST QTS532C-26.000MBP-T 13.5700
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 QST QTS532C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 26 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3001-QTS532C-26.000MBP-TTR 8541.60.0060 1 - 5MA 결정 ± 280ppb - - -
QTT161-40.000MBS-T QST QTT161-40.000MBS-T 1.2960
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 QST QTT161 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 귀 99 8541.60.0060 3,000 - 2MA 결정 ± 2ppm - - -
QTM252E-37.400MDE-T QST QTM252E-37.400MDE-T 0.8910
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 QST QTM252E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz CMOS (EMI) 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTS532-19.440MBF-T QST QTS532-19.440MBF-T 6.4800
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 QST QTS532 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 19.44 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 - 5MA 결정 ± 500ppb - - -
QTM532-32.768MBE-T QST QTM532-32.768MBE-T 0.7128
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 QST QTM532 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
QTK532-32.768KDD-T QST QTK532-32.768KDD-T 0.8667
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 QST QTK532 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0010 1,000 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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