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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
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![]() | QTT216-38.400MDG-T | 1.2960 | ![]() | 3326 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 38.4 MHz | 사인파를 사인파를 | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM750PH-312.500MBD-T | - | ![]() | 1653 | 0.00000000 | QST | qtm750ph | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.074 "(1.88mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | xo (표준) | 312.5 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM750PH-312.500MBD-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM325-2.048MCE-T | 0.7128 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 2.048 MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTT325-16.384MBN-T | 0.9720 | ![]() | 9684 | 0.00000000 | QST | QTT325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 16.384 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | 2MA | 결정 | ± 2ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-70.656MCE-T | 0.8910 | ![]() | 5974 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 70.656 MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM532-12.288MBE-T | 0.5867 | ![]() | 4063 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-1.000MCE-T | 0.6000 | ![]() | 3883 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTV532-122.880MBB-T | 2.0000 | ![]() | 3082 | 0.00000000 | QST | QTV532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 122.88 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 50ppm | ± 50ppm | - | - | |||
![]() | QTM532-27.000MDA-T | 1.4300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | 3001-QTM532-27.000MDA-TTR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | QTT216-40.000MDG-T | 1.0667 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | 사인파를 사인파를 | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM750-40.000MDE-T | 0.7290 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-156.250MDE-T | 2.2680 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM325-1.000MDE-T | 0.5867 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM325-1.000MCE-T | 0.5867 | ![]() | 1345 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTO107-48.000MBV-T | - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | QST | QTO107 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.382 "L x 0.295"W (9.70mm x 7.50mm) | 0.222 "(5.65mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | OCXO | 48MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 10 | - | 170ma | 결정 | ± 10ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM216-27.000mbe-t | 1.4300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM216-27.000mbe-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM325-24.576MDE-T | 0.7128 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM216E-20.000mcm-t | 0.8667 | ![]() | 5518 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM216E-33.333MDE-T | 0.8910 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.333 MHz | CMOS (EMI) | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTO107-40.000MBV-T | - | ![]() | 8955 | 0.00000000 | QST | QTO107 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.382 "L x 0.295"W (9.70mm x 7.50mm) | 0.222 "(5.65mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | OCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 10 | - | 170ma | 결정 | ± 10ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM325-77.760MDE-T | - | ![]() | 8685 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 77.76 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM325-77.760MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 15MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM252E-25.000MDJ-T | 0.8000 | ![]() | 4446 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS (EMI) | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-98.304MBE-T | 0.7333 | ![]() | 5994 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 98.304 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM532PH-215.000mbe-t | - | ![]() | 2697 | 0.00000000 | QST | qtm532ph | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | xo (표준) | 215 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM532PH-215.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM252-48.000mbe-t | 1.4300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 48MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM252-48.000mbe-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM216-32.768MDE-T | 0.5867 | ![]() | 6514 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTS750C-49.152MBP-T | 7.0000 | ![]() | 9060 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.079 "(2.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 49.152 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5MA | 결정 | ± 280ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM750-66.000MDE-T | 0.7290 | ![]() | 1838 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM532-133.000mbe-t | 2.7200 | ![]() | 2000 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 133 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM532-133.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM252E-27.000MBM-T | 2.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS (EMI) | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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