- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
발진기 (1334)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | QTS750C-19.440MBP-T | 15.0000 |  | 3693 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.079 "(2.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 19.44 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1 | - | 5MA | 결정 | ± 280ppb | - | - | - | |||||
 | QTM252J-11.2896MBJ-T | 1.7200 | | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 11.2896 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 3001-QTM252J-11.2896MBJ-TTR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 1 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 18MA | |
 | QTM325-12.288MDE-T | 0.7128 | | 2144 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0050 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM216-27.000mce-t | 0.5867 | | 9408 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM216E-30.000MBM-T | 2.0000 | | 3269 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 30MHz | CMOS (EMI) | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM532-1.000mbe-t | 0.7128 | | 3568 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM532-75.000MDE-T | - | | 4386 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 75MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM532-75.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
 | QTM252-62.500MBE-T | 1.4300 | | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 62.5 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM252-62.500MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
 | QTS750C-51.200MBP-T | 7.0000 | | 9373 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.079 "(2.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 51.2 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5MA | 결정 | ± 280ppb | - | - | - | |||||
| QTM325-62.500MBE-T | 0.7128 | | 9466 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 62.5 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM216E-24.576MDE-T | 0.8910 | | 3226 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS (EMI) | 1.8V | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM216-106.250MDE-T | - | | 4293 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 106.25 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM216-106.250MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
 | QTS532C-25.000MBF-T | 5.3333 | | 3286 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | vctcxo | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||||
| QTS532C-30.720MBO-T | - | | 5173 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | vctcxo | 30.72 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5MA | 결정 | ± 280ppb | - | - | - | |||||
 | QTK750-32.768KDE-T | 0.8000 | | 3084 | 0.00000000 | QST | QTK750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0010 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM532-24.576MDE-T | - | | 5922 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM325-50.000mce-t | 0.7128 | | 3970 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM216-33.000mce-t | 0.7128 | | 9333 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTT161-25.000MBG-T | 1.4580 | | 4281 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 25MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||||
| QTS532C-24.576MBF-T | 5.3333 | | 4733 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | vctcxo | 24.576 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||||
 | QTM325-25.000MBD-T | 0.6400 | | 6193 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||
 | QTM750-20.480MBE-T | 0.7290 | | 9159 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20.48 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM216E-40.000mcm-t | 1.0530 | | 8545 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 40MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM216E-27.000mcm-t | 1.0530 | | 9712 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.032 "(0.81mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS (EMI) | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
| QTM750-1.544MBE-T | 1.7200 | | 961 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.056 "(1.42mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1.544 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 3001-QTM750-1.544MBE-TTR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 1 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
| QTM532-10.000MDE-T | 0.7128 | | 9901 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0050 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTM216-25.000mbe-t | 1.4300 | | 1 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM216-25.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
| QTM216-24.000MDE-T | 0.7128 | | 3105 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||
 | QTT161-38.400MBN-T | 1.2960 | | 7271 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 38.4 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2MA | 결정 | ± 2ppm | - | - | - | |||||
| QTM216-114.285MDE-T | - | | 5267 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.033 "(0.83mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 114.285 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3001-QTM216-114.285MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)