전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-8018CE 50.2000M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50.2 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE50.2000M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CE 22.766490M-TJHPA0 | 0.5909 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 22.76649 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE22.766490M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 50.0933M-TJHPA0 | 0.7121 | ![]() | 5088 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50.0933 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA50.0933M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CG 62.0000M-TJHPA0 | 0.5606 | ![]() | 1922 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 62 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CG62.0000M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CG 99.0000M-TJHPA0 | 0.5606 | ![]() | 9035 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 99MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CG99.0000M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CE 156.269531M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 8570 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.269531 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE156.269531M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CB 159.272728M-TJHSA0 | 0.6363 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 159.272728 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB159.272728M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CB 169.4750M-TJHPA0 | 0.6363 | ![]() | 1148 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 169.475 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB169.4750M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CE 4.6360M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 4.636 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE4.6360M-TJHSA0CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CB 112.6400M-TJHPA0 | 0.6363 | ![]() | 9482 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 112.64 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB112.6400M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 43.5600M-TJHPA0 | 0.7121 | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 43.56 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA43.5600M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CE 50.2800M-TJHPA0 | 0.5909 | ![]() | 4205 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50.28 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE50.2800M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 1.2800M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 2325 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 1.28MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA1.2800M-TJHSA0CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CE 18.0224M-TJHPA0 | 0.5909 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 18.0224 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE18.0224M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 21.5040M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 21.504 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA21.5040M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CB 16.0915M-TJHPA0 | 0.6363 | ![]() | 9743 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16.0915 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB16.0915M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 37.1260M-TJHPA0 | 0.7121 | ![]() | 4696 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 37.126 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA37.1260M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CE 16.3670M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 8159 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16.367 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE16.3670M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CE 3.1250M-TJHPA0 | 0.5909 | ![]() | 8360 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 3.125 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE3.1250M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CA 49.3667M-TJHPA0 | 0.7121 | ![]() | 5742 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.3667 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA49.3667M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CB 128.8720M-TJHPA0 | 0.6363 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 128.872 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB128.8720M-TJHPA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 3.5MA | |
![]() | SG-8018CG 6.7888M-TJHSA0 | 0.5606 | ![]() | 2991 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 6.7888 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CG6.7888M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-210STF 24.0000MY0 | 1.2900 | ![]() | 812 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-210stf | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 2.2MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 2.7µA | ||
![]() | SG-8018CA 33.554430M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 4423 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.55443 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA33.554430M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CA 35.6000M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 2176 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 35.6 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA35.6000M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CE 25.0025M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 5578 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25.0025 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE25.0025M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CA 24.7040M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.704 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA24.7040M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CE 116.6660M-TJHSA0 | 0.5909 | ![]() | 9105 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 116.666 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CE116.6660M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CA 167.331650M-TJHSA0 | 0.7121 | ![]() | 7275 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 167.33165 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA167.331650M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA | |
![]() | SG-8018CB 49.666670M-TJHSA0 | 0.6363 | ![]() | 1076 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.66667 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CB49.666670M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.1ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고