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발진기(312)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	평가	사이즈/치수	높이 - 자리에 앉다(최대)	장착	세트/케이스	에	그들	널리	전압 - 공급	데이터 시트	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	기능	현재 - 공급(최대)	찹 공진기	안드로이드	절대 금지 범위(APR)	전개분류의 구분	현재 - 공급(비활성화)(최대)
501ABA8M00000BAFR	-	보상요청	2078	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	8MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±30ppm	-	-	2.5mA
SI50122-A1-GMR	-	보상요청	8743	실리콘랩스	SI50122-A1	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	10-VFDFN	CMEMS®	100MHz	HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	-	23mA	MEMS	+100ppm	-	-	-
501HCA27M0000CAFR	-	보상요청	8254	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	27MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAA27M0000DAFR	-	보상요청	2201	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	27MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501AAA24M0000CAG	-	보상요청	4973	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	24MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2913	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501AAA27M0000CAF	0.8700	보상요청	44	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	27MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2954	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501JCA24M0000CAF	-	보상요청	8665	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	24MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)	336-2924	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAA50M0000BAGR	-	보상요청	4422	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	50MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501HCAM032768CAG	-	보상요청	3702	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2865	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JCAM032768DAG	-	보상요청	6044	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)	336-2861	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAA25M0000CAG	-	보상요청	7592	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	25MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2931	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501HCA26M0000BAFR	-	보상요청	4129	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	26MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JCA100M000CAFR	-	보상요청	1647년	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	100MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	8.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501JAA24M0000DAF	0.8400	보상요청	4	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	24MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)	336-2920	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±50ppm	-	-	4.9mA
501JAA40M0000BAFR	-	보상요청	3622	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	40MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±50ppm	-	-	4.9mA
501JCA10M0000DAF	-	보상요청	2047년	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	10MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)	336-2884	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAA25M0000DAGR	-	보상요청	9595	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	25MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501HCA26M0000DAF	-	보상요청	3403	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	26MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2950	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501BCAM032768BAGR	-	보상요청	8651	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±20ppm	-	-	2.5mA
501AAA50M0000BAG	-	보상요청	2040년	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.197" 가로 x 0.126" 세로(5.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	50MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2977	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501HCA27M0000CAG	-	보상요청	9509	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	27MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2961	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501AAA24M0000BAGR	-	보상요청	2584	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	24MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
SI50122-A4-GM	-	보상요청	2504	실리콘랩스	SI50122-A4	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	10-VFDFN	CMEMS®	100MHz	HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	-	2(1년)	336-3072	EAR99	8542.39.0001	100	-	23mA	MEMS	+100ppm	-	-	-
501HCA12M0000CAFR	-	보상요청	7582	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	12MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501ABA8M00000DAFR	-	보상요청	9620	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	8MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	2,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±30ppm	-	-	2.5mA
501HCA12M0000CAF	-	보상요청	3813	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	12MHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2888	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501HCAM032768DAG	-	보상요청	6352	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2867	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501BAA16M0000BAFR	-	보상요청	2322	실리콘랩스	Si501	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.157" 가로 x 0.126" 세로(4.00mm x 3.20mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	16MHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)		EAR99	8542.39.0001	1,500	활성화/비활성화	2.5mA	MEMS	±50ppm	-	-	2.5mA
501JCAM032768DAF	-	보상요청	2172	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.098" 길이 x 0.079" 너비(2.50mm x 2.00mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	3.3V	-	2(1년)	336-2860	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA
501HCAM032768CAF	-	보상요청	8363	실리콘랩스	Si501	조각	더 이상 사용하지 않는 경우	-20°C ~ 70°C	-	0.126" 가로 x 0.098" 세로(3.20mm x 2.50mm)	0.035"(0.90mm)	표면 실장	4-SMD, 무연	CMEMS®	32.768kHz	LVCMOS	1.7V ~ 3.6V	-	2(1년)	336-2864	EAR99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	4.9mA	MEMS	±20ppm	-	-	4.9mA

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기(312)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²