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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VCC1-B3A-66M0000000 Microchip Technology VCC1-B3A-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6003HA3B-016.0000T Microchip Technology DSC6003HA3B-016.0000T -
RFQ
 ECAD 8907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - - - -
VT-706-EAJ-507B-10M0000000 Microchip Technology VT-706-EAJ-507B-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VT-706-EAE-2070-25M0000000 Microchip Technology VT-706-EAE-2070-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC6-RCF-125M000000 Microchip Technology VCC6-RCF-125M000000 -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-709-0035-125M000000 Microchip Technology VC-709-0035-125M000000 -
RFQ
 ECAD 6374 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0035-125M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1121AM1-041.5000T Microchip Technology DSC1121AM1-041.5000T -
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 ECAD 7555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 41.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AM1-041.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1121CM1-075.0000 Microchip Technology DSC1121CM1-075.0000 -
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 ECAD 1445 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 75MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1033DC1-004.7500T Microchip Technology DSC103333DC1-004.7500T -
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 ECAD 3272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 4.75 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033DI1-007.3728T Microchip Technology DSC103333DI1-007.3728T -
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 ECAD 7052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6011CI2A-010.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-010.0000 -
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 ECAD 8876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1101CI1-120.0000T Microchip Technology DSC1101CI1-120.0000T -
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1004AI5-099.7200 Microchip Technology DSC1004AI5-099.7200 -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1004 99.72 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 11.9ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1124DL5-156.2500 Microchip Technology DSC1124DL5-156.2500 -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 150-DSC1124DL5-156.2500 140 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA6003JI1B-020.0000VAO Microchip Technology DSA6003JI1B-020.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6003JI1B-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
MX575ABC25M0000-TR Microchip Technology MX575ABC25M0000-TR -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ABC25M0000 25MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
MX553ABC177M083-TR Microchip Technology MX553ABC177M083-TR -
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 ECAD 8760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX553ABC177M083 177.08333 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX553ABC177M083-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1121NI1-133.3300 Microchip Technology DSC1121NI1-133.3300 -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 133.33 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1101CI2-025.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1123CI5-066.6670T Microchip Technology DSC1123CI5-066.6670T -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 66.667 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI5-066.6670TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6013JI2B-032K768 Microchip Technology DSC6013JI2B-032K768 -
RFQ
 ECAD 7623 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6013 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1202CL3-130M0000 Microchip Technology DSC1202CL3-130M0000 -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 130MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202CL3-130M0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1101BI1-012.5000T Microchip Technology DSC1101BI1-012.5000T -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
MX875BB0023 Microchip Technology MX875BB0023 -
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX875BB0023 귀 99 8542.39.0001 43
OX-401-9016-20M000 Microchip Technology OX-401-9016-20M000 -
RFQ
 ECAD 9333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 OX-401 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.800 "L x 0.500"W (20.32mm x 12.70mm) 0.433 "(11.00mm) 표면 표면 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 OCXO 20MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 330ma 결정 ± 5ppb - - -
DSC1018DI1-028.6360T Microchip Technology DSC1018DI1-028.6360T -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.636 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000 Microchip Technology HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1001DL2-100.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6331JI2EB-012.0000 Microchip Technology DSC6331JI2EB-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2EB-012.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
VV-800-EAE-KAAE-50M0000000 Microchip Technology VV-800-EAE-KAAE-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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