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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1123AI5-148.5000	-	RFQ	6263	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	148.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSA1204DL3-100M0000VAO	-	RFQ	3799	마이크로 마이크로 기술	DSA12X4	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	HCSL	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1204DL3-100M0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	40ma (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001CL2-054.0000T	-	RFQ	6713	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	54 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.1MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103CL5-212.5000T	-	RFQ	2081	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	212.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-212.5000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6001HE1A-024.3050	-	RFQ	7356	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24.305 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6111JE2B-100.0000	-	RFQ	4524	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6111JE2B-100.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1001DL1-001.8432T	-	RFQ	4105	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	1.8432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSA1121DA3-020.0000TVAO	-	RFQ	9056	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	20MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA3-020.00000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	22MA
DSC1123DE1-100.0000	-	RFQ	2509	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6011HI2B-016.0000	-	RFQ	7381	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HI2B-016.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001CL5-080.0000T	-	RFQ	2668	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	80MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121BM2-007.3728	-	RFQ	3155	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	7.3728 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DL2-022.5792	-	RFQ	4411	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	22.5792 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6011HA2B-032K768T	-	RFQ	4350	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HA2B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
DSC6331JI2EB-025.0000T	-	RFQ	5947	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6331	25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI2EB-025.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 2.00%, 00 스프레드	-
DSC1104BE1-156.2500T	-	RFQ	2552	마이크로 마이크로 기술	DSC1104	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1104	156.25 MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	42MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1033CI1-064.0000	-	RFQ	1786	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	64 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
MX775EBD322M265-TR	-	RFQ	9290	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX775EBD322M265-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DI1-013.3333T	-	RFQ	8008	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	13.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1033AI1-001.5000	-	RFQ	8910	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)		1.5MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6083CI2A-000K000T	-	RFQ	3614	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA1123DL1-125.0000TVAO	-	RFQ	4168	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1123DL1-125.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSA6003JI1B-020.0000TVAO	-	RFQ	5357	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6003	20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6003JI1B-020.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6331HL1AB-072.5000	-	RFQ	6460	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6331	72.5 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331HL1AB-072.5000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSA1003DL2-008.0000VAO	-	RFQ	4108	마이크로 마이크로 기술	DSA1003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1003DL2-008.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1522JI3A-50M00000T	-	RFQ	3480	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		50MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1522JI3A-50M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1123DI5-125.0060T	-	RFQ	8819	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125.006 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DI5-125.0060TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
VC-709-ECE-KAAN-75M0000000	-	RFQ	4489	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		75MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	45MA	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1018DE1-125.0000T	-	RFQ	3046	마이크로 마이크로 기술	DSC1018	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	CMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6MA	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6013JI1B-768K000T	-	RFQ	9379	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6013	768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6013JI1B-768K000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²