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발진기 (15893)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC6011CI2A-007.3728T | - |  | 4982 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 7.3728 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
| DSA6331MA1AB-027.0000VAO | - | | 6073 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSA6331 | 27 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6331MA1AB-027.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||
 | DSC1101CI5-050.0000 | 2.1750 | | 9117 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1101 | 50MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||
 | DSA1223CA1-200M0000VAO | - | | 2416 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1223CA1-200M0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 23MA (유형) | |||
| CD-700-LAF-GKB-32M7680000 | - | | 3234 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 200 | |||||||||||||||||||||
| MX554EBC20M0000 | - | | 3111 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX554EBC20M0000 | 20MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| DSC6011HI2A-012.0000 | - | | 7970 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||
 | VCC1-B3E-12M3500000TR | - | | 8550 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.35 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3E-12M3500000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||
| DSC6111BI2B-012.2880T | 1.2600 | | 4207 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||
 | DSC1121DE1-010.0000T | - | | 3334 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1121 | 10MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||
 | DSA1001DI2-100.0000VAO | - | | 4818 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 100MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DI2-100.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||
 | DSA1001DI3-020.00000000TVAO | - | | 6157 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 20MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DI3-020.00000000TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||
 | DSC1121BI5-022.5792 | - | | 4876 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1121 | 22.5792 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | - | ± 10ppm | - | 22MA | |||
| DSC1124BL1-100.0000 | - | | 7881 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1124 | 100MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||
 | DSA6101ML3B-024.5760VAO | - | | 2209 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML3B-024.5760VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||
 | DSC6003HI2A-027.0000 | - | | 1864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||
 | DSC1001CI5-125.0000T | - | | 1958 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 125MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
 | DSC1001DL5-025.0000 | 2.6400 | | 7659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
| DSC1123CL1-287.0000 | - | | 1031 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 287 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | - | ± 50ppm | - | 22MA | ||
| DSC6011HI2A-040.0000T | - | | 4716 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
| DSC1121BM1-024.5760 | - | | 1958 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 24.576 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 22MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||
| DSC1123BI2-156.2500T | - | | 7904 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
| DSC1122BE2-050.0000T | 2.2500 | | 2967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1122 | 50MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 58ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
| VT-822-EAE-2560-10M0000000 | - | | 1825 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
| DSC6011HE2B-064.0000T | - | | 6944 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 64 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HE2B-064.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||
| VC-709-119-40M0000000 | - | | 2726 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||
 | DSC1121AI5-100.0000 | 2.9200 | | 6273 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 100MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
 | MO-9200AE-D3K-EE-106M250000 | - | | 5594 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MO-9200 | 106.25 MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MO-9200AE-D3K-EE-106M250000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 69ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 35MA | |||
| DSC1004DE2-025.0000 | - | | 8441 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1004DE2-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
| DSC1001DI1-038.0000 | - | | 7619 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 38MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI1-038.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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