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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1001DI1-024.5792T	-	RFQ	9321	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24.5792 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001CI5-027.0000	2.5100	RFQ	1182	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI5-027.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1223BI2-156M2500T	-	RFQ	5914	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223BI2-156M2500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC6301ML1EB-010.0000	-	RFQ	5770	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6301	10MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6301ML1EB-010.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 2.00%, 00 스프레드	-
DSC1123DE2-399.6800T	-	RFQ	4494	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	399.68 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121NI2-100.0000	-	RFQ	6222	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6013MI2A-025.0000	-	RFQ	1213	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA1001DL2-072.0000VAO	-	RFQ	3387	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	72 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1001DL2-007.2000VAO	-	RFQ	8419	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	7.2 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001DL5-029.4912	-	RFQ	6909	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DL5-029.4912	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1003AE5-100.0000	-	RFQ	2519	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)	DSC1003	100MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121DL2-033.0000T	-	RFQ	1459	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	33MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DL2-033.0000T	-	RFQ	3736	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
M921223CI1-66M66666T	-	RFQ	8349	마이크로 마이크로 기술	M9212X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		66.66666 MHz	LVD	2.5V, 3.3V	다운로드				150-M921223CI1-66M6666666TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1101CL5-020.0032T	-	RFQ	8386	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	20.0032 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1003BE1-025.0000	-	RFQ	7603	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	25MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6083CI2A-307K000	-	RFQ	2237	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		307 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001AE1-098.0000	-	RFQ	7037	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)	DSC1001	98 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	11.9ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6011ML3B-003.0720T	-	RFQ	1444	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	3.072 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011ML3B-003.0720TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6011JI2B-019.2000T	-	RFQ	2694	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-019.2000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CI5-009.6000T	-	RFQ	3618	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	9.6 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6183CI1A-800K000	-	RFQ	9320	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		800 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1001BL5-125.0000	-	RFQ	2865	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001CC2-012.5000	-	RFQ	1071	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12.5MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1121DA3-030.00000000TVAO	-	RFQ	9449	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	30MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA3-030.0000000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	22MA
DSC1122CI5-048.0020	-	RFQ	7170	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	48.002 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1121CM2-024.0000	-	RFQ	4703	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	24 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001CC1-025.0000	-	RFQ	5331	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1103CE1-200.0000	3.7800	RFQ	255	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	200MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1121CI2-062.5000	-	RFQ	8392	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	62.5 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²