SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6011HI2B-027.0000T Microchip Technology DSC6011HI2B-027.0000T -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI2B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-840-0024-19M2000000 Microchip Technology VT-840-0024-19M2000000 -
RFQ
 ECAD 6759 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 마지막으로 마지막으로 - 150-VT-840-0024-19M2000000 1
DSC1122BI2-155.5200 Microchip Technology DSC1122BI2-155.5200 2.5320
RFQ
 ECAD 4090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 155.52 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001CI1-008.1920T Microchip Technology DSC1001CI1-008.1920T -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 8.192 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-008.1920TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6001JE1A-010.0000T Microchip Technology DSC6001JE1A-010.0000T -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121CI1-033.3333 Microchip Technology DSC1121CI1-033.3333 -
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CI1-033.3333 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - 35MA
DSC1201NE1-2M500000 Microchip Technology DSC1201NE1-2M500000 -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 2.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE1-2M500000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC1101DL2-050.6880 Microchip Technology DSC1101111DL2-050.6880 -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 50.688 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1033DI2-033.3330T Microchip Technology DSC103333DI2-033.3330T -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1123CI2-125.0987 Microchip Technology DSC1123CI2-125.0987 -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125.0987 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSC6101HI2A-072.0000 Microchip Technology DSC6101HI2A-072.0000 -
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-806-ECE-KAAN-125M000000 Microchip Technology VC-806-ECE-KAAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001DL5-006.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-006.0000T -
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-006.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VC-709-EHE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-709-EHE-KAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 39ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1123CI5-409.3750 Microchip Technology DSC1123CI5-409.3750 -
RFQ
 ECAD 7402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 409.375 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001AL5-066.0000T Microchip Technology DSC1001AL5-066.0000T -
RFQ
 ECAD 9593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 66MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1121NL1-025.0000T Microchip Technology DSC1121NL1-025.0000T -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1030DI2-019.2000T Microchip Technology DSC1030DI2-019.2000T -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 19.2 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001AI2-075.0000T Microchip Technology DSC1001AI2-075.0000T -
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 75MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6301CI2EA-025.0000 Microchip Technology DSC6301CI2EA-025.0000 -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001DE1-090.0000T Microchip Technology DSC1001DE1-090.0000T -
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 90MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DI2-066.6600 Microchip Technology DSC1001DI2-066.6600 -
RFQ
 ECAD 9852 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 66.66 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1102BI2-125.0000 Microchip Technology DSC1102BI2-125.0000 2.2700
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001DI5-038.8800 Microchip Technology DSC1001DI5-038.8800 -
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI5-038.8800 귀 99 8542.39.0001 140
DSC1003AI3-100.0000T Microchip Technology DSC1003AI3-100.0000T -
RFQ
 ECAD 2459 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1003 100MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1101AE5-007.6800 Microchip Technology DSC1101AE5-007.6800 -
RFQ
 ECAD 1754 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 7.68 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1123CI1-148.5000T Microchip Technology DSC1123CI1-148.5000T -
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI1-148.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1121DI2-080.0000 Microchip Technology DSC1121DI2-080.0000 -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 80MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121AM2-010.0000 Microchip Technology DSC1121AM2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA1101BI3-040.0000VAO Microchip Technology DSA1101BI3-040.0000VAO -
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다