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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC1223CA2-156M2500 Microchip Technology DSC1223CA2-156M2500 -
RFQ
ECAD 2844 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CA2-156M2500 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC6013HL2B-048.0000 Microchip Technology DSC6013HL2B-048.0000 -
RFQ
ECAD 8691 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013HL2B-048.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6053HE1B-006.2500T Microchip Technology DSC6053HE1B-006.2500T -
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ECAD 1723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6053 6.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HE1B-006.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC1103BE5-100.0000 Microchip Technology DSC1103BE5-100.0000 -
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ECAD 1316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103BE5-100.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6001HI1B-025.0000 Microchip Technology DSC6001HI1B-025.0000 -
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ECAD 1517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI1B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6011JI2B-024.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-024.0000 -
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ECAD 2129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1101BL3-040.0000VAO Microchip Technology DSA1101BL3-040.0000VAO -
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ECAD 2056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101BL3-040.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1001DI2-014.3181 Microchip Technology DSC1001DI2-014.3181 -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.3181 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-014.3181 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6102JL1B-033.0000T Microchip Technology DSC6102JL1B-033.0000T -
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6102 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JL1B-033.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CI5-013.5000 Microchip Technology DSC1001CI5-013.5000 -
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI5-013.5000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001DI1-038.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-038.0000T -
RFQ
ECAD 9327 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI1-038.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BE1-033.3333T Microchip Technology DSC1001BE1-033.3333T -
RFQ
ECAD 2783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BE1-033.333333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011JE1B-027.0000 Microchip Technology DSC6011JE1B-027.0000 -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JE1B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6301JE2AB-050.0000 Microchip Technology DSC6301JE2AB-050.0000 -
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ECAD 8378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JE2AB-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6011MA1B-032K768 Microchip Technology DSC6011MA1B-032K768 -
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ECAD 2916 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA1B-032K768 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC1221CI2-25M00062T Microchip Technology DSC1221CI2-25M00062T -
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25.00062 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CI2-25M00062TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC6331JA2AB-004.0000T Microchip Technology DSC6331JA2AB-004.0000T -
RFQ
ECAD 7248 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2AB-004.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123BL2-250.0000 Microchip Technology DSC1123BL2-250.0000 -
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123BL2-250.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI1-069.1200 Microchip Technology DSC1001DI1-069.1200 -
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 69.12 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI1-069.1200 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1123DL1-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1123DL1-100.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DL1-100.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1223NI1-156M2500 Microchip Technology DSC1223NI1-156M2500 -
RFQ
ECAD 9960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-156M2500 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSA1101DA1-025.0000VAO Microchip Technology DSA1101DA1-025.0000VAO -
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6311MI2CB-008.0000T Microchip Technology DSC6311MI2CB-008.0000T -
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311MI2CB-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 1.5µA (()
DSA6011HL2B-032K768TVAO Microchip Technology DSA6011HL2B-032K768TVAO -
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011HL2B-032K768TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6013HI2B-048.0000T Microchip Technology DSC6013HI2B-048.0000T -
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013HI2B-048.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6101JL3B-027.0000T Microchip Technology DSC6101JL3B-027.0000T -
RFQ
ECAD 9914 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JL3B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1223BI1-200M0000 Microchip Technology DSC1223BI1-200M0000 -
RFQ
ECAD 9357 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI1-200M0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSA1001DL3-033.3330VAO Microchip Technology DSA1001DL3-033.3330VAO -
RFQ
ECAD 1418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-033.3330VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA6311MI2CB-008.0000TVAO Microchip Technology DSA6311MI2CB-008.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6311MI2CB-008.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 1.5µA (()
DSC1223NI1-156M0000T Microchip Technology DSC1223NI1-156M0000T -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-156M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고