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발진기 (15893)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | DSC1004CL2-030.0000T | - | | 9130 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 30MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1004CL2-030.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
| DSC6301JE2AB-024.0000 | - | | 4845 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JE2AB-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |||
| DSC6101JA3B-024.0000 | - | | 8409 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JA3B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||
| HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000 | - | | 3000 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||
| HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000 | - | | 5299 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
| HT-MM900AC-2F-EE-125M000000 | - | | 2788 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 125MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-2F-EE-125M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||
 | DSA1001DL1-025.1000VAO | - | | 8124 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 25.1 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL1-025.1000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||
| DSA1001CL2-125.0000VAO | - | | 5859 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001CL2-125.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||
| VCC1-1537-114M285000 | - | | 3049 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-1537 | 114.285 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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