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발진기 (15893)
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| DSC6011HI3B-032K000T | - | | 8358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 32 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HI3B-032K000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||
| DSC6331JI2FB-025.0000T | - | | 9872 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6331 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JI2FB-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | ||
| DSC6311JA1BB-019.2000 | - | | 7294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6311 | 19.2 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JA1BB-019.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | - | ||
| MX554ENU840M000 | - | | 1597 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX554ENU840M000 | 840MHz | HCSL | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX554ENU840M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| VCC1-A1D-21M2000000 | - | | 8027 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | - | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-A1 | 21.2 MHz | CMOS | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-A1D-21M2000000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | - | 결정 | - | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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