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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1004CI2-054.0000 Microchip Technology DSC1004CI2-054.0000 -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 54 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123CI5-066.6670T Microchip Technology DSC1123CI5-066.6670T -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 66.667 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI5-066.6670TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA6003JI1B-020.0000VAO Microchip Technology DSA6003JI1B-020.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6003JI1B-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1103CE1-266.7000T Microchip Technology DSC1103CE1-266.7000T -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 266.7 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1103CL5-150.0000T Microchip Technology DSC1103CL5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001BE3-022.1184T Microchip Technology DSC1001BE3-022.1184T -
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 22.1184 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
MX553EBF125M000-TR Microchip Technology MX553EBF125M000-TR -
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX553EBF125M000 125MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1221DI3-148M5000 Microchip Technology DSC1221DI3-148M5000 -
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221DI3-148M5000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1101BI1-012.5000T Microchip Technology DSC1101BI1-012.5000T -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1202CL3-130M0000 Microchip Technology DSC1202CL3-130M0000 -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 130MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202CL3-130M0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
OX-401-9016-20M000 Microchip Technology OX-401-9016-20M000 -
RFQ
 ECAD 9333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 OX-401 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.800 "L x 0.500"W (20.32mm x 12.70mm) 0.433 "(11.00mm) 표면 표면 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 OCXO 20MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 330ma 결정 ± 5ppb - - -
MX875BB0023 Microchip Technology MX875BB0023 -
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX875BB0023 귀 99 8542.39.0001 43
VT-501-EAE-1060-10M0000000 Microchip Technology VT-501-EAE-1060-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI5-032.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-032.0000 1.8800
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1018DI1-028.6360T Microchip Technology DSC1018DI1-028.6360T -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 28.636 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1103BI2-050.0000T Microchip Technology DSC1103BI2-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3588 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX554ENL120M000-TR Microchip Technology MX554ENL120M000-TR -
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX554ENL120M000 120MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001BI2-027.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 1556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6111JI2B-100K000 Microchip Technology DSC6111JI2B-100K000 -
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 100 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI2B-100K000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DI1-012.5000T Microchip Technology DSC1101DI1-012.5000T -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001BI2-050.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-050.0000T 1.2600
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BC2-024.0000 Microchip Technology DSC1001BC2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC4-G3D-125M000000 Microchip Technology VCC4-G3D-125M000000 -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-E3D-64M0000000 Microchip Technology VCC1-E3D-64M0000000 -
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BL5-125.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-125.0000T -
RFQ
 ECAD 1807 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
MX775ABD156M250-TR Microchip Technology MX775ABD156M250-TR -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX775ABD156M250-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6331JI2EB-012.0000 Microchip Technology DSC6331JI2EB-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2EB-012.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
VC-820-EAE-FAAN-20M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000 Microchip Technology HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1033DI1-032.0000T Microchip Technology DSC103333DI1-032.0000T -
RFQ
 ECAD 1920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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