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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-826-ECW-FAAN-166M666667TR Microchip Technology VC-826-ECW-FAAN-166M666667TR -
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-826 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.041 "(1.05mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166.666667 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-826-ECW-FAAN-166M666667TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1203CI3-125M0000T Microchip Technology DSC1203CI3-125M0000T -
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1203CI3-106M2500T Microchip Technology DSC1203CI3-106M2500T -
RFQ
 ECAD 8777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-106M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VC-820-EAE-FAAN-8M70400000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-8M70400000 -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.704 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-FAAN-8M70400000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 25ppm - - 5µA
VCC4-B3D-11M2896000TR Microchip Technology vcc4-b3d-11m2896000tr -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.2896 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-B3D-11M2896000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC6-RAP-106M250000_SNPB Microchip Technology VCC6-RAP-106M250000_SNPB -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-vcc6-rap-106m250000_snpbtr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 100ppm - - -
VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR Microchip Technology VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSA6301JA1AB-002.0000TVAO Microchip Technology DSA6301JA1AB-002.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 2 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6301JA1AB-002.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1522JE1A-25M00000T Microchip Technology DSC1522JE1A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JE1A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1522JI1A-25M00000T Microchip Technology DSC1522JI1A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JI1A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - -
VC-801-1062-107M520000 Microchip Technology VC-801-1062-107M520000 -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 107.52 MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-1062-107M520000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 40ma 결정 - - - 30µA
DSC1203DA3-333M3333T Microchip Technology DSC1203DA3-333M3333T -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 333.3333 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DA3-333M333333333333333333333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VCC1-G3P-25M0000000 Microchip Technology VCC1-G3P-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 1822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-G3P-25M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
VT-827-FFE-106B-19M2000000 Microchip Technology VT-827-FFE-106B-19M2000000 -
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-827 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 19.2 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VT-827-FFE-106B-19M2000000 귀 99 8541.60.0080 100 - 2MA 결정 ± 1ppm - - -
DSA6101HA3B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6101HA3B-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101HA3B-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1502JA3A-156M2500T Microchip Technology DSC1502JA3A-156M2500T -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 156.25 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502JA3A-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
VC-820-EAE-FAAN-2M04800000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-2M04800000 -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-FAAN-2M04800000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 25ppm - - 5µA
DSC6301JE1EB-001.0000T Microchip Technology DSC6301JE1EB-001.0000T -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JE1EB-001.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
DSA6101HL2B-020.0000TVAO Microchip Technology DSA6101HL2B-020.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101HL2B-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103CE2-167.7722T Microchip Technology DSC1103CE2-167.7722T -
RFQ
 ECAD 7682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 167.7722 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CE2-167.7722TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001CL2-080.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-080.0000T -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6011JI2B-040.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-040.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR Microchip Technology VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 2.5MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR -
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
VC-840-EAE-FAAN-100M000000TR Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-100M0000TTR -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-100M0000TTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 122.76785 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
DSA1103BL2-200.0000VAO Microchip Technology DSA1103BL2-200.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.6V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA1103BL2-200.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1201NI2-81M36000 Microchip Technology DSC1201NI2-81M36000 -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 81.36 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NI2-81M36000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC6013JI1B-033.3300 Microchip Technology DSC6013JI1B-033.3300 -
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013JI1B-033.3300 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1124BL2-100.0000 Microchip Technology DSC1124BL2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124BL2-100.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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