SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-827-EDW-FAAN-160M000000 Microchip Technology VC-827-EDW-FAAN-160M000000 -
RFQ
 ECAD 6450 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011HE1A-002.0480T Microchip Technology DSC6011HE1A-002.0480T -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 2.048 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VT-804-EAE-106C-10M0000000 Microchip Technology VT-804-EAE-106C-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
MX573DBC16M6666-TR Microchip Technology MX573DBC16M6666-TR -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX573DBC16M6666 16.6666 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX573DBC16M6666-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6301CE1BA-024.0000T Microchip Technology DSC6301CE1BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1003CI2-025.0000 Microchip Technology DSC1003CI2-025.0000 0.9200
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-007.3728 Microchip Technology DSC1001CI5-007.3728 -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSA1101DA1-033.3330VAO Microchip Technology DSA1101DA1-033.3330VAO -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 33.333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001DL2-020.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-820-EAC-KAAN-66M0000000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121DM1-040.0000T Microchip Technology DSC1121DM1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VC-709-EDW-KAAN-125M000000 Microchip Technology VC-709-EDW-KAAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 17ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6001HI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122CL2-156.2500 Microchip Technology DSC1122CL2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6003HI2B-019.2000T Microchip Technology DSC6003HI2B-019.2000T -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003HI2B-019.2000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI2-003.6864T Microchip Technology DSC1001BI2-003.6864T -
RFQ
 ECAD 9166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI2-003.6864TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121BL5-110.5400T Microchip Technology DSC1121BL5-110.5400T -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 110.54 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSA1121CA1-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA1-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA1-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA6112MA1B-060.9250TVAO Microchip Technology DSA6112MA1B-060.9250TVAO -
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 60.925 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112MA1B-060.9250TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) - MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001AE1-024.5761T Microchip Technology DSC1001AE1-024.5761T -
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.5761 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001AE1-050.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 8460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011MI2B-006K144T Microchip Technology DSC6011MI2B-006K144T -
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 6.144 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-006K14444TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC1101CI5-008.0000T Microchip Technology DSC1101CI5-008.0000T -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CI5-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6001CI2A-003.5800 Microchip Technology DSC6001CI2A-003.5800 -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3.58 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6001CI2A-003.5800 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1033BI2-017.7344T Microchip Technology DSC1033BI2-017.7344T -
RFQ
 ECAD 4380 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 17.7344 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
VCC6-121-125M000000 Microchip Technology VCC6-121-125M000000 -
RFQ
 ECAD 2090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6011JI1B-006.5536 Microchip Technology DSC6011JI1B-006.5536 -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 6.5536 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI1B-006.5536 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6011JI1A-012.0000 Microchip Technology DSC6011JI1A-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC6-LCB-156M250000TR Microchip Technology VCC6-LCB-156M250000TR -
RFQ
 ECAD 1190 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-LCB-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
VC-714-ECE-KAAN-150M000000TR Microchip Technology VC-714-ECE-KAAN-150M0000TTR -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-714 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 150MHz lvpecl 3.3v 다운로드 150-VC-714-ECE-KAAN-150M0000TR 1 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다