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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VT-820-JFE-1060-40M0000000 Microchip Technology VT-820-JFE-1060-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI5-033.3300 Microchip Technology DSC1001CI5-033.3300 2.5100
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC1-A2D-20M0000000 Microchip Technology VCC1-A2D-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VS-702-ECE-KXCA-750M000000 Microchip Technology VS-702-ECE-KXCA-750M000000 -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1122BE2-150.0000T Microchip Technology DSC1122BE2-150.0000T 2.4840
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 150MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121CL1-028.6364 Microchip Technology DSC1121CL1-028.6364 -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 28.6364 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CL2-025.5760 Microchip Technology DSC1001CL2-025.5760 -
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BE1-040.0000T Microchip Technology DSC1001BE1-040.0000T -
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 ECAD 2175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1253BL3-94M00000 Microchip Technology DSC1253BL3-94M00000 -
RFQ
 ECAD 5100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1200 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 94 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1253BL3-94M00000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6011JI1B-025.0000T Microchip Technology DSC6011JI1B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 50ppm - -
DSC1001DI5-050.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-050.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VC-823-EAC-KAAN-16M0000000 Microchip Technology VC-823-EAC-KAAN-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-823 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - - - - 16MHz - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-823-EAC-KAAN-16M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC6111CI1A-008.0000T Microchip Technology DSC6111CI1A-008.0000T -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 12µA
VCA1-A0A-6M14400000 Microchip Technology VCA1-A0A-6M14400000 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA6013JI1B-300K000TVAO Microchip Technology DSA6013JI1B-300K000TVAO -
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 300 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6013JI1B-300K000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6101JE1A-033.3333 Microchip Technology DSC6101JE1A-033.3333 -
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VDUGLD-34M3680000 Microchip Technology VDUGLD-34M3680000 -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1001BI1-004.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-004.0000T -
RFQ
 ECAD 8106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DI2-033.3333B Microchip Technology DSC1001DI2-033.3333B -
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101ML2B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6101ML2B-025.000000TVAO -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML2B-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101JE1B-033.0000T Microchip Technology DSC6101JE1B-033.0000T -
RFQ
 ECAD 3556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE1B-033.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC6-VCD-100M000000 Microchip Technology VCC6-VCD-100M000000 -
RFQ
 ECAD 7828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6111HI2B-004K000 Microchip Technology DSC6111HI2B-004K000 -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 4 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.3 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
DSC1001CI2-012.0000B Microchip Technology DSC1001CI2-012.0000B -
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI1-040.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS - ± 50ppm - 15µA
DSC6183CI2A-007K629T Microchip Technology DSC6183CI2A-007K629T -
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 7.629 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011ME1B-032K768T Microchip Technology DSC6011ME1B-032K768T -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011ME1B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6011JI2B-032.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-032.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1522AA3A-25M00000T Microchip Technology DSC1522AA3A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 3117 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522AA3A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 20ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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