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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC6301JI1FB-002.0000T | - | ![]() | 4200 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 2 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JI1FB-002.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | ||
![]() | DSC1223DI1-50M00000T | - | ![]() | 5677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 50MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1223DI1-50M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 23MA (유형) | ||
![]() | DSA1121DL2-03333333333333333333333333333333333333333331 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1121 | 33.3333 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121DL2-033.3333TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |
![]() | DSC6101HE2A-012.0000T | - | ![]() | 9572 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6101 | 12MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101HE2A-012.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1123CI3-125.0000T | - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123CI3-125.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 22MA | |
![]() | DSC6001JI3B-259K200 | - | ![]() | 2648 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 259.2 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JI3B-259K200 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6102JI1B-080.0000T | - | ![]() | 7499 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC1121AE5-020.0000 | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AE5-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |
![]() | DSC6111HI3B-074.2500 | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6111 | 74.25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HI3B-074.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() | |
![]() | DSC6001ME1B-052.4280T | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 52.428 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001ME1B-052.4280TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1103CL5-212.5000 | - | ![]() | 3463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1103 | 212.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103CL5-212.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC6111JI2B-100.0000T | - | ![]() | 6372 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6111 | 100MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111JI2B-100.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |
![]() | DSA6331JL2AB-012.2880VAO | - | ![]() | 8909 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12.288 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6331JL2AB-012.2880VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||
![]() | DSC6101JA2B-027.0000T | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JA2B-027.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSA6001JI2B-001.0000TVAO | - | ![]() | 3684 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JI2B-001.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC1103DI1-156.2500 | - | ![]() | 4101 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DI1-156.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSA1001BL2-050.0000000000TVAO | - | ![]() | 6639 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001BL2-050.00000000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1121CA1-024.0000TVAO | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121CA1-024.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC6011HA2B-029.4912 | - | ![]() | 4483 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 29.4912 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HA2B-029.4912 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |
![]() | DSC1222NL3-10M00000 | - | ![]() | 4384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 10MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC12NL3-10M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | ||
![]() | DSC6001CI1A-024.0000T | - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 150-DSC6001CI1A-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1001CE1-006.1760T | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.176 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CE1-006.1760TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1121DA2-020.0000TVAO | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1121 | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121DA2-020.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |
![]() | DSA6001JI2B-001.0000VAO | - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JI2B-001.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6011ME2A-050.0000 | - | ![]() | 4065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 150-DSC6011ME2A-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||
![]() | DSC6301JI2AB-002.0000 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6301 | 2 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JI2AB-002.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |
![]() | DSC1001CI1-010.0000 | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI1-010.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1001DE2-120.0000 | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 120MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DE2-120.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1121AI1-002.5000T | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 2.5MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AI1-002.5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1001DE2-120.0000T | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 120MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DE2-120.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
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