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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC6301JI1FB-002.0000T Microchip Technology DSC6301JI1FB-002.0000T -
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 2 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI1FB-002.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC1223DI1-50M00000T Microchip Technology DSC1223DI1-50M00000T -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223DI1-50M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSA1121DL2-033.3333TVAO Microchip Technology DSA1121DL2-03333333333333333333333333333333333333333331 -
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DL2-033.3333TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6101HE2A-012.0000T Microchip Technology DSC6101HE2A-012.0000T -
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HE2A-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123CI3-125.0000T Microchip Technology DSC1123CI3-125.0000T -
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI3-125.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6001JI3B-259K200 Microchip Technology DSC6001JI3B-259K200 -
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 259.2 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI3B-259K200 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6102JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6102JI1B-080.0000T -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121AE5-020.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-020.0000 -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AE5-020.0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6111HI3B-074.2500 Microchip Technology DSC6111HI3B-074.2500 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 74.25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI3B-074.2500 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6001ME1B-052.4280T Microchip Technology DSC6001ME1B-052.4280T -
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 52.428 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001ME1B-052.4280TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1103CL5-212.5000 Microchip Technology DSC1103CL5-212.5000 -
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CL5-212.5000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6111JI2B-100.0000T Microchip Technology DSC6111JI2B-100.0000T -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 100MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI2B-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSA6331JL2AB-012.2880VAO Microchip Technology DSA6331JL2AB-012.2880VAO -
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2AB-012.2880VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6101JA2B-027.0000T Microchip Technology DSC6101JA2B-027.0000T -
RFQ
ECAD 4110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA2B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA6001JI2B-001.0000TVAO Microchip Technology DSA6001JI2B-001.0000TVAO -
RFQ
ECAD 3684 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI2B-001.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103DI1-156.2500 Microchip Technology DSC1103DI1-156.2500 -
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DI1-156.2500 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1001BL2-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1001BL2-050.0000000000TVAO -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001BL2-050.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1121CA1-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA1-024.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA1-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6011HA2B-029.4912 Microchip Technology DSC6011HA2B-029.4912 -
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 29.4912 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA2B-029.4912 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1222NL3-10M00000 Microchip Technology DSC1222NL3-10M00000 -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 10MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC12NL3-10M00000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6001CI1A-024.0000T Microchip Technology DSC6001CI1A-024.0000T -
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 150-DSC6001CI1A-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CE1-006.1760T Microchip Technology DSC1001CE1-006.1760T -
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.176 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE1-006.1760TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1121DA2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1121DA2-020.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA2-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA6001JI2B-001.0000VAO Microchip Technology DSA6001JI2B-001.0000VAO -
RFQ
ECAD 7330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI2B-001.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011ME2A-050.0000 Microchip Technology DSC6011ME2A-050.0000 -
RFQ
ECAD 4065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 150-DSC6011ME2A-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6301JI2AB-002.0000 Microchip Technology DSC6301JI2AB-002.0000 -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6301 2 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI2AB-002.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1001CI1-010.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-010.0000 -
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 10MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-010.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DE2-120.0000 Microchip Technology DSC1001DE2-120.0000 -
RFQ
ECAD 7877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DE2-120.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121AI1-002.5000T Microchip Technology DSC1121AI1-002.5000T -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 2.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI1-002.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001DE2-120.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-120.0000T -
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DE2-120.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고