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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1122NL2-025.0006T Microchip Technology DSC1122NL2-025.0006T -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 25.0006 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1223NI1-148M5000T Microchip Technology DSC1223NI1-148M5000T -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-148M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC6001MI2A-026.0000 Microchip Technology DSC6001MI2A-026.0000 -
RFQ
 ECAD 2401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6301ML1AB-010.0000 Microchip Technology DSC6301ML1AB-010.0000 -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 10MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301ML1AB-010.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123NI1-100.0000 Microchip Technology DSC1123NI1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VC-711-EDE-EAAN-128M000000TR Microchip Technology VC-711-ed-EAAN-128M0000TTR -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 128 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-ede-EAAN-128M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC6083JE2A-032K768 Microchip Technology DSC6083JE2A-032K768 -
RFQ
 ECAD 6602 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-704-EAR-106A-33M6000000 Microchip Technology VT-704-EAR-106A-33M6000000 -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-HAE-FAAN-27M0000000 Microchip Technology VC-820-HAE-FAAN-27M0000000 -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1103CL5-075.0300T Microchip Technology DSC1103CL5-075.0300T -
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 75.03 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC6101JI3B-075.0000 Microchip Technology DSC6101JI3B-075.0000 -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6101 75MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1224DI2-125M0000T Microchip Technology DSC1224DI2-125M0000T -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1224 125MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224DI2-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1001AE1-008.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CL1-050.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123CM1-375.0000T Microchip Technology DSC1123CM1-375.0000T -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 375 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 50ppm - 22MA
DSC1001CL2-025.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-025.0000 1.3100
RFQ
 ECAD 761 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DI1-012.5000 Microchip Technology DSC1001DI1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123CI1-148.5000 Microchip Technology DSC1123CI1-148.5000 -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI1-148.5000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6311JE1BB-018.4320 Microchip Technology DSC6311JE1BB-018.4320 -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 18.432 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JE1BB-018.4320 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 1.5µA (()
VT-820-JFE-206A-40M0000000 Microchip Technology VT-820-JFE-206A-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VX-805-0036-122M880000TR Microchip Technology VX-805-0036-122M880000tr -
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO 122.88 MHz - 2.5V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-0036-122M880000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 진폭 진폭 - 결정 ± 20ppm - - -
VC-806-ECE-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-806-ECE-FAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1101CI5-008.0000T Microchip Technology DSC1101CI5-008.0000T -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CI5-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1123BI2-156.0000 Microchip Technology DSC1123BI2-156.0000 -
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 156 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6331JA2GB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JA2GB-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2GB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -0.25%, 하향 확산 -
DSC1121CL2-024.0000 Microchip Technology DSC1121CL2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CL2-024.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1123DL1-100.0000T Microchip Technology DSC1123DL1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DL1-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123CL2-200.0000 Microchip Technology DSC1123CL2-200.0000 -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSC1124CE1-156.2500 Microchip Technology DSC1124CE1-156.2500 1.9680
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 156.25 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001AE5-125.0000T Microchip Technology DSC1001AE5-125.0000T -
RFQ
 ECAD 1930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 11.9ma MEMS ± 10ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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