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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
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![]() | DSC6102HI2B-025.0000 | - | ![]() | 2470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6102 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102HI2B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
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![]() | DSC1102NI5-200.0000 | - | ![]() | 8987 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1102 | 200MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1102NI5-200.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC6011JE2A-008.0000T | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1123BL5-200.0000 | - | ![]() | 4988 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | - | ± 10ppm | - | 22MA | ||
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![]() | DSC1123DL3-100.0000 | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123DL3-100.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1001AI5-033.0000 | 1.7700 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 33MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1033AE1-133.3333T | - | ![]() | 2271 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | 133.3333 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DSC1033AE1-133333333333333333333 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||
![]() | DSC6331JA2BB-004.0000T | - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 4 MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JA2BB-004.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | - | |||
![]() | DSC1103CL1-200.0000 | - | ![]() | 8183 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1103 | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | - | ± 50ppm | - | 95µA | ||
![]() | DSC1001DI5-133.3330 | 2.1100 | ![]() | 9144 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 133.333 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 8.7ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
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![]() | DSC6111HE2A-016.0000T | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||
![]() | DSC1123AE1-125.0000 | 2.1100 | ![]() | 8952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1123 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | VC-708-ECW-KNXN-160M000000 | - | ![]() | 6332 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC6011JI2B-250K000 | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6011 | 250 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | - | - | ||
![]() | dsa6101ml3b-016.6666vao | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 16.6666 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML3B-016.6666VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1001BI5-033.0000T | - | ![]() | 1902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 33MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.1ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC1033CE1-003.5000 | - | ![]() | 3307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 3.5MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | |||
![]() | DSC6331JI1BA-038.0000T | - | ![]() | 5633 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 38MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | 80µA (타이핑) | |||||
![]() | DSC1001AE1-018.1059 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 18.1059 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||
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![]() | MX575ABH50M0000 | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX575ABH50M0000 | 50MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | VC-801-EAE-FAAN-5M00000000 | - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC6331JI2BA-024.0000T | - | ![]() | 2784 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | - | ||||
![]() | DSC1004DI5-066.4860T | - | ![]() | 7704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1004 | 66.486 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC6011MI2A-032.0000T | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 32 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||
![]() | DSC1103DI2-312.5000 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 312.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | VCE1-B3B-45M0000000 | - | ![]() | 3714 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고