SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 25ppm - - -
HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 5299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
HT-MM900AC-2F-EE-125M000000 Microchip Technology HT-MM900AC-2F-EE-125M000000 -
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 125MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-2F-EE-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 25ppm - - -
VC-801-EAF-KAAN-125M0000000 Microchip Technology VC-801-AF-AF-KAAN-125M0000000 -
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VC-801 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-AFE-KAAN-125M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VT-803-0061-24M0000000 Microchip Technology VT-803-0061-24M0000000 -
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-803 조각 쓸모없는 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS - 다운로드 150-VT-803-0061-24M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 3MA 결정 - - - -
VCC1-B1B-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B1B-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-B1 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B1B-25M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC1-B3E-12M3520000 Microchip Technology VCC1-B3E-12M3520000 -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-B3 12.352 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-12M3520000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VT-803-GFE-207C-40M0000000 Microchip Technology VT-803-GFE-207C-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-803 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 2.8V 다운로드 150-VT-803-GFE-207C-40M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 3.4ma 결정 ± 200ppb ± 10ppm - -
VCC1-1537-114M285000 Microchip Technology VCC1-1537-114M285000 -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-1537 114.285 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VC-820-9001-114M285000 Microchip Technology VC-820-9001-114M285000 2.1200
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VC-820 114.285 MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 - 결정 - - - 5µA
DSA6001JA2B-003K277VAO Microchip Technology DSA6001JA2B-003K277VAO -
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 3.277 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JA2B-003K277VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6011JI1B-024.0000 Microchip Technology DSC6011JI1B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6101JE1B-030.0000 Microchip Technology DSC6101JE1B-030.0000 -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 30MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE1B-030.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101JA3B-024.0000T Microchip Technology DSC6101JA3B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA3B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6003JL3B-004.0960 Microchip Technology DSC6003JL3B-004.0960 -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JL3B-004.0960tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6331JA3AB-004.0000T Microchip Technology DSC6331JA3AB-004.0000T -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA3AB-004.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123CL2-027.0000T Microchip Technology DSC1123CL2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL2-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1004CL2-030.0000T Microchip Technology DSC1004CL2-030.0000T -
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 30MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CL2-030.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6301JE2AB-024.0000 Microchip Technology DSC6301JE2AB-024.0000 -
RFQ
 ECAD 4845 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JE2AB-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6101JA3B-024.0000 Microchip Technology DSC6101JA3B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA3B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSA1001DL1-025.1000VAO Microchip Technology DSA1001DL1-025.1000VAO -
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25.1 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL1-025.1000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001CL2-125.0000VAO Microchip Technology DSA1001CL2-125.0000VAO -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CL2-125.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-803-0041-50M0000000 Microchip Technology VT-803-0041-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 150-VT-803-0041-50M0000000TR 쓸모없는 500
VT-803-EAW-2070-24M576-S Microchip Technology VT-803-EAW-2070-24M576-S -
RFQ
 ECAD 6797 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 150-VT-803-EAW-2070-24M576-STR 쓸모없는 500
MX553ABA106M250 Microchip Technology MX553ABA106M250 -
RFQ
 ECAD 2874 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1030BI2-016.0000T Microchip Technology DSC1030BI2-016.0000T -
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 3V 다운로드 150-DSC1030BI2-016.0000T 쓸모없는 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6331JI2AB-016.0000T Microchip Technology DSC6331JI2AB-016.0000T -
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2AB-016.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6111HI3B-027.0000 Microchip Technology DSC6111HI3B-027.0000 -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI3B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6101JI2B-037.1250T Microchip Technology DSC6101JI2B-037.1250T -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 37.125 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-037.1250TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001CI2A-012.1732T Microchip Technology DSC6001CI2A-012.1732T -
RFQ
 ECAD 2164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC6001 12.1732 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001CI2A-012.1732TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다