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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1121DM1-050.0000 Microchip Technology DSC1121DM1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VC-827-EDE-KAAN-200M000000 Microchip Technology VC-827-ede-kaan-200m000000 -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-827-EDE-KAAN-200M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6003JI2B-004.5160 Microchip Technology DSC6003JI2B-004.5160 -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 4.516 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-004.5160 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
CD-700-LAF-GKB-44M7360000 Microchip Technology CD-700-LAF-GKB-44M7360000 -
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1033CC0-016.9344T Microchip Technology DSC1033CC0-016.9344T -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 16.9344 MHz CMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS - - - 1µA
DSC1001CI1-001.6000T Microchip Technology DSC1001CI1-001.6000T -
RFQ
 ECAD 4656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 1.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX553ENR125M000-TR Microchip Technology MX553ENR125M000-TR -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX553ENR125M000 125MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001BI1-020.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-020.0000T -
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121BM1-024.0000 Microchip Technology DSC1121BM1-024.0000 1.5120
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001AI2-064.0000 Microchip Technology DSC1001AI2-064.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-840-HAE-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-840-HAE-FAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAE-KAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6112MI1B-074.2500T Microchip Technology DSC6112MI1B-074.2500T -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 74.25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6112MI1B-074.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
VC-711-ECW-EAAN-156M250000 Microchip Technology VC-711-ECW-EAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 69ma 결정 ± 20ppm - - -
DSC1003AE2-024.0000T Microchip Technology DSC1003AE2-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1003 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101ML3B-033.3333VAO Microchip Technology DSA6101ML3B-033.3333VAO -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6101 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML3B-033.3333VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VC-827-HDE-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-827-HDE-KAAN-100M000000 -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DE2-020.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-020.0000T 0.9000
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1001DE2020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6311JI1GA-028.6364 Microchip Technology DSC6311JI1GA-028.6364 -
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 28.6364 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC1121AI2-053.1250 Microchip Technology DSC1121AI2-053.1250 -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 53.125 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI2-053.1250 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA1001DL3-032.7680VAO Microchip Technology DSA1001DL3-032.7680VAO -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 32.768 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-032.7680VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6011MI2B-007.3728 Microchip Technology DSC6011MI2B-007.3728 -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-007.3728 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101CE1A-100.0000 Microchip Technology DSC6101CE1A-100.0000 -
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1004AE5-050.0000T Microchip Technology DSC1004AE5-050.0000T -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033CI1-054.0000T Microchip Technology DSC1033CI1-054.0000T -
RFQ
 ECAD 2852 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 54 MHz CMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1101DI5-020.0000T Microchip Technology DSC1101111DI5-020.0000T 2.0200
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1121CM2-032.0000T Microchip Technology DSC1121CM2-032.0000T -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI3-012.2880 Microchip Technology DSC1001DI3-012.2880 -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI3-012.2880 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6101MA3B-026.0000T Microchip Technology DSC6101MA3B-026.0000T -
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MA3B-026.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1122CI2-200.0000 Microchip Technology DSC1122CI2-200.0000 -
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 200MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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