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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
VT-804-EAE-5070-10M0000000	-	RFQ	2469	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
VT-822-EAE-2560-52M0000000	-	RFQ	5003	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-820-HAW-KAAN-50M0000000	-	RFQ	3302	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-801-EAC-KAAN-48M0000000	-	RFQ	2300	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1030BI2-016.0000	-	RFQ	2466	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	3V	다운로드				150-DSC1030BI2-016.0000	쓸모없는		72	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC6001MI2B-032K768	-	RFQ	6645	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001	32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001MI2B-032K768	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC6-QAP-212M500000	-	RFQ	2166	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VV-701-EAE-KKAB-2M04800000	-	RFQ	2813	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
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VC-806-ECW-FAAN-103M000000	-	RFQ	4198	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001DL5-064.0000T	-	RFQ	1015	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		64 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DL5-064.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001AI5-012.2880	2.5900	RFQ	738	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1001AI5-030.0000T	-	RFQ	8867	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		30MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC1001AI5-030.0000TTR			1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1223CI1-100M0000	-	RFQ	9881	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223CI1-100M0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001CI2-026.6363T	-	RFQ	2887	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	26.6363 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	-	± 25ppm	-	15µA
DSA1001DI1-008.0000VAO	-	RFQ	4706	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DI1-008.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VCC1-F3C-33M0000000	-	RFQ	7310	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CE1-012.0000	1.1400	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1123CE5-100.0000T	-	RFQ	9274	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
MX575ABBB550M0000-TR	-	RFQ	7987	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ABB50M0000	50MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6101MA3B-019.2000	-	RFQ	5426	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
MX573NBD311M040	12.9500	RFQ	15	마이크로 마이크로 기술	MX57	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX573NBD311	311.04 MHz	HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화	95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
VC-806-ECE-FAAN-25M0000000	-	RFQ	5241	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6083CE2A-032K000	-	RFQ	6358	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-826-EDE-FAAN-100M000000	-	RFQ	9310	마이크로 마이크로 기술	VC-826	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.041 "(1.05mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		100MHz	LVD	3.3v	-	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-826-EDE-FAAN-100M000000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	17ma	결정	± 25ppm	-	-	-
DSA6001HI2B-019.2000VAO	-	RFQ	1401	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6001HI2B-019.2000VAO	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI1-020.0000	0.9100	RFQ	6021	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSA6112JA1B-027.0000VAO	-	RFQ	6183	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6112JA1B-027.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001DI2-014.7456	0.9100	RFQ	5359	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1121BM2-100.0000	-	RFQ	2589	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²