SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1223DI2-156M2500 Microchip Technology DSC1223DI2-156M2500 2.5500
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223DI2-156M2500 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
VC-820-HAE-KAAN-15M6250000 Microchip Technology VC-820-HAE-KAAN-15M6250000 -
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.625 MHz CMOS 2.5V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-HAE-KAAN-15M6250000TR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.5MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
HT-MM900AE-7K-ES-26M0000000 Microchip Technology HT-MM900AE-7K-ES-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6101CE2A-100.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121AM1-030.0000T Microchip Technology DSC1121AM1-030.0000T -
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001BL2-012.5000T Microchip Technology DSC1001BL2-012.5000T -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC10011BL2-012.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC1-B3C-24M5760000 Microchip Technology VCC1-B3C-24M5760000 -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MX573EBC125M000 Microchip Technology MX573EBC125M000 -
RFQ
 ECAD 1147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573 125MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1121BI5-025.6000T Microchip Technology DSC1121BI5-025.6000T -
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 25.6 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI5-025.6000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6001HI2B-018.4320T Microchip Technology DSC6001HI2B-018.4320T -
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 18.432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-018.4320TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI2-003.6864 Microchip Technology DSC1001DI2-003.6864 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101HA1B-008.0000VAO Microchip Technology DSA6101HA1B-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101HA1B-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC4-B3F-16M3840000 Microchip Technology VCC4-B3F-16M3840000 -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI1-020.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-020.0000T -
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011HI1A-013.5600 Microchip Technology DSC6011HI1A-013.5600 1.3400
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
DSC6112JI2B-032K768T Microchip Technology DSC6112JI2B-032K768T -
RFQ
 ECAD 1033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6112 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI2-024.5760B Microchip Technology DSC1001DI2-024.5760B 1.0200
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1223CL1-100M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL1-100M0000VAO -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1223 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL1-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VC-840-EAE-KAAN-12M0000000 Microchip Technology VC-840-EAE-KAAN-12M0000000 -
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1001DI2-100.0000T Microchip Technology DSA1001DI2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 DSA1001DI2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - -
DSC1001CE2-037.1250T Microchip Technology DSC1001CE2-037.1250T -
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 37.125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001AI1-012.0000 Microchip Technology DSC1001AI1-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123CL5-433.0000 Microchip Technology DSC1123CL5-433.0000 -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 433 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1123CI2-266.5000T Microchip Technology DSC1123CI2-266.5000T -
RFQ
 ECAD 8534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 266.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC6003JI2B-250K000T Microchip Technology DSC6003JI2B-250K000T -
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 250 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-250K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DI5-060.0000 Microchip Technology DSC1101111DI5-060.0000 -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 60MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001AI1-032.7680T Microchip Technology DSC1001AI1-032.7680T -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 32.768 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
DSC1124AI2-100.0000T Microchip Technology DSC1124AI2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6111JI1B-020.0000T Microchip Technology DSC6111JI1B-020.0000T 0.8640
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-020.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1033AE1-050.0000T Microchip Technology DSC1033AE1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다