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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1124CI5-133.3300T Microchip Technology DSC1124CI5-133.3300T -
RFQ
 ECAD 3636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 133.33 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC6011JI3B-020.0000 Microchip Technology DSC6011JI3B-020.0000 -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI3B-020.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DL2-150.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-150.0000 1.1300
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 150MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 12.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI2-050.0000B Microchip Technology DSC1001CI2-050.0000B -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
MX573DNR16M6666 Microchip Technology MX573DNR16M6666 -
RFQ
 ECAD 5856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573DNR16M6666 16.666666 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSA6011MA3B-002K000VAO Microchip Technology DSA6011MA3B-002K000VAO -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6011 2 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011MA3B-002K000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1122BI1-100.0000T Microchip Technology DSC1122BI1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6343 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 100MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1121AI5-125.0032 Microchip Technology DSC1121AI5-125.0032 -
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 125.0032 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1123DL3-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1123DL3-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) DSA1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DL3-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1101AI2-120.0000 Microchip Technology DSC1101AI2-120.0000 -
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX775ABA156M250-TR Microchip Technology MX775ABA156M250-TR -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX775ABA156M250-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1103CL1-026.0000 Microchip Technology DSC1103CL1-026.0000 -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 26 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
DSC1001CE1-019.2000 Microchip Technology DSC1001CE1-019.2000 0.8700
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001AE1-099.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-099.0000 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 99MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 11.9ma MEMS ± 50ppm - - -
DSC1104CI3-027.0000T Microchip Technology DSC1104CI3-027.0000T -
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1104 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
VX-705-EAE-KXAN-125M000000 Microchip Technology VX-705-EAE-KXAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1001CI3-148.5000T Microchip Technology DSC1001CI3-148.5000T -
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 148.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI3-148.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
VC-840-EAE-FAAN-1M84320000 Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-1M84320000 -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101CI1-008.0000T Microchip Technology DSC1101CI1-008.0000T -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1121AM1-030.0000 Microchip Technology DSC1121AM1-030.0000 -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1101DE5-027.0000 Microchip Technology DSC1101DE5-027.0000 -
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1101CI2-040.9600T Microchip Technology DSC1101CI2-040.9600T -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 40.96 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1030DI1-042.5000 Microchip Technology DSC1030DI1-042.5000 -
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 42.5 MHz CMOS 3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1101DM5-160.0000T Microchip Technology DSC1101111DM5-160.0000T -
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 160MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-801-EAE-KAAN-32M7680000 Microchip Technology VC-801-EAE-KAAN-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 9728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 MHz CMOS 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-KAAN-32M7680000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC6311JI2FB-020.0000 Microchip Technology DSC6311JI2FB-020.0000 -
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 20MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JI2FB-020.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 80µA (타이핑)
DSC1101DI1-038.0000T Microchip Technology DSC1101DI1-038.0000T -
RFQ
 ECAD 9028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 38MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001DI5-133.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-133.0000 2.1720
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 133 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC1-B3P-100M000000 Microchip Technology VCC1-B3P-100M000000 -
RFQ
 ECAD 6759 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI2-019.6608B Microchip Technology DSC1001CI2-019.6608B -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 19.6608 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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