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이미지 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 주파수 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC6003HI2B-019.2000T Microchip Technology DSC6003HI2B-019.2000T -
RFQ
ECAD 1835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003HI2B-019.2000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI2-003.6864T Microchip Technology DSC1001BI2-003.6864T -
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활성 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI2-003.6864TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1121CA1-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA1-125.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA1-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA6112MA1B-060.9250TVAO Microchip Technology DSA6112MA1B-060.9250TVAO -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 60.925 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112MA1B-060.9250TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) - MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001AE1-024.5761T Microchip Technology DSC1001AE1-024.5761T -
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.5761 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001AE1-050.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-050.0000 -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011MI2B-006K144T Microchip Technology DSC6011MI2B-006K144T -
RFQ
ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 6.144 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-006K14444TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC1101CI5-008.0000T Microchip Technology DSC1101CI5-008.0000T -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CI5-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VCC6-121-125M000000 Microchip Technology VCC6-121-125M000000 -
RFQ
ECAD 2090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6011JI1B-006.5536 Microchip Technology DSC6011JI1B-006.5536 -
RFQ
ECAD 4287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 6.5536 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI1B-006.5536 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6011JI1A-012.0000 Microchip Technology DSC6011JI1A-012.0000 -
RFQ
ECAD 9149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC6-LCB-156M250000TR Microchip Technology VCC6-LCB-156M250000TR -
RFQ
ECAD 1190 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-LCB-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
DSA6011JA2B-012.0000VAO Microchip Technology DSA6011JA2B-012.0000VAO -
RFQ
ECAD 3480 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011JA2B-012.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6001CE2A-010.0000T Microchip Technology DSC6001CE2A-010.0000T -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001JI2B-068.1818 Microchip Technology DSC6001JI2B-068.1818 -
RFQ
ECAD 1590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 68.1818 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-068.1818 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1018BC1-054.0000 Microchip Technology DSC1018BC1-054.0000 -
RFQ
ECAD 6542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1223DI2-156M2500 Microchip Technology DSC1223DI2-156M2500 2.5500
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223DI2-156M2500 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
VC-820-HAE-KAAN-15M6250000 Microchip Technology VC-820-HAE-KAAN-15M6250000 -
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.625 MHz CMOS 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-HAE-KAAN-15M6250000TR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 4.5MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
HT-MM900AE-7K-ES-26M0000000 Microchip Technology HT-MM900AE-7K-ES-26M0000000 -
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6101CE2A-100.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-100.0000T -
RFQ
ECAD 9344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121AM1-030.0000T Microchip Technology DSC1121AM1-030.0000T -
RFQ
ECAD 7206 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활성 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001BL2-012.5000T Microchip Technology DSC1001BL2-012.5000T -
RFQ
ECAD 5864 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활성 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC10011BL2-012.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC1-B3C-24M5760000 Microchip Technology VCC1-B3C-24M5760000 -
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MX573EBC125M000 Microchip Technology MX573EBC125M000 -
RFQ
ECAD 1147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573 125MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1121BI5-025.6000T Microchip Technology DSC1121BI5-025.6000T -
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활성 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 25.6 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI5-025.6000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6001HI2B-018.4320T Microchip Technology DSC6001HI2B-018.4320T -
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 18.432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-018.4320TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI2-003.6864 Microchip Technology DSC1001DI2-003.6864 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101HA1B-008.0000VAO Microchip Technology DSA6101HA1B-008.0000VAO -
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101HA1B-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC4-B3F-16M3840000 Microchip Technology VCC4-B3F-16M3840000 -
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI1-020.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-020.0000T -
RFQ
ECAD 1869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고