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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VCC6-VCD-100M000000 Microchip Technology VCC6-VCD-100M000000 -
RFQ
 ECAD 7828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6111HI2B-004K000 Microchip Technology DSC6111HI2B-004K000 -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 4 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.3 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-EAE-FAAN-13M3000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
DSC1001CI2-012.0000B Microchip Technology DSC1001CI2-012.0000B -
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI1-040.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS - ± 50ppm - 15µA
DSC6183CI2A-007K629T Microchip Technology DSC6183CI2A-007K629T -
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 ECAD 5054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 7.629 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011ME1B-032K768T Microchip Technology DSC6011ME1B-032K768T -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011ME1B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6011JI2B-032.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-032.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1522AA3A-25M00000T Microchip Technology DSC1522AA3A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 3117 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522AA3A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 20ppm - - -
DSC6011JI1A-008.0000 Microchip Technology DSC6011JI1A-008.0000 -
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VC-820-9010-98M3040000 Microchip Technology VC-820-9010-98M3040000 -
RFQ
 ECAD 9878 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98.304 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 - - - 10µA
DSC1123BI5-100.0000T Microchip Technology DSC1123BI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001DL2-026.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-026.0000T -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-822-EAE-2560-25M0000000 Microchip Technology VT-822-EAE-2560-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VT-804-EAE-5070-10M0000000 Microchip Technology VT-804-EAE-5070-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
VT-822-EAE-2560-52M0000000 Microchip Technology VT-822-EAE-2560-52M0000000 -
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-HAW-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-820-HAW-KAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-801-EAC-KAAN-48M0000000 Microchip Technology VC-801-EAC-KAAN-48M0000000 -
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1030BI2-016.0000 Microchip Technology DSC1030BI2-016.0000 -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 3V 다운로드 150-DSC1030BI2-016.0000 쓸모없는 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6001MI2B-032K768 Microchip Technology DSC6001MI2B-032K768 -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI2B-032K768 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC6-QAP-212M500000 Microchip Technology VCC6-QAP-212M500000 -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VV-701-EAE-KKAB-2M04800000 Microchip Technology VV-701-EAE-KKAB-2M04800000 -
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAC-KAAN-65M5360000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-65M5360000 -
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-806-ECW-FAAN-103M000000 Microchip Technology VC-806-ECW-FAAN-103M000000 -
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001DL5-064.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-064.0000T -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-064.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001AI5-012.2880 Microchip Technology DSC1001AI5-012.2880 2.5900
RFQ
 ECAD 738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001AI5-030.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-030.0000T -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC1001AI5-030.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1223CI1-100M0000 Microchip Technology DSC1223CI1-100M0000 -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CI1-100M0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1001CI2-026.6363T Microchip Technology DSC1001CI2-026.6363T -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 26.6363 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
DSA1001DI1-008.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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