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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1033333DC2-024.0000T	-	RFQ	9222	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	24 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	4MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1003DL2-090.0000T	-	RFQ	5195	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	90MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DSC1003DL2090.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	9.6MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1001DL3-054.0000TVAO	-	RFQ	7878	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	54 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DL3-054.00000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
VCC6-LCF-161M132800	-	RFQ	2767	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1030BC1-001.8432	-	RFQ	9375	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1030	1.8432 MHz	CMOS	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	3MA	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6111HE1A-033.3300T	-	RFQ	2877	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		33.33 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
HT-MM900AF-7F-EE-10M0000000	-	RFQ	5917	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
090-03054-000	-	RFQ	1551	마이크로 마이크로 기술	Quantum ™ ln CSAC	대부분	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	2.00 "L x 2.00"W (50.8mm x 50.8mm)	0.715 "(18.15mm)	구멍을 구멍을	기준 기준	원자	090-03054	10MHz	사인파	3.3v	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	-	-	결정	± 5ppb	-		-
VC-820-EAC-KAAN-8M19200000	-	RFQ	5455	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1103AI2-250.0000T	-	RFQ	9015	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1103	250MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6001HI2A-006.1400T	1.3000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		6.14 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-709-HDE-KAAN-156M250000	-	RFQ	3668	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	14ma	결정	± 50ppm	-	-	-
VCC6-VCF-148M500000	-	RFQ	6762	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
HT-MM900AC-7K-EE-50M0000000	-	RFQ	8354	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6003JI2B-024.0000	-	RFQ	4723	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003	24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JI2B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC6-VCB-125M000000	-	RFQ	3898	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001AI2-017.7340T	-	RFQ	1863	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	17.734 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6111JI2B-250K000T	-	RFQ	4381	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6111	250 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VT-803-EFJ-507D-20M0000000	-	RFQ	9860	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
VC-820-EAW-KAAN-5M00000000	-	RFQ	5432	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121CE1-124.2000T	-	RFQ	7407	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	124.2 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121CE1-124.2000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CL2-066.6666	-	RFQ	9748	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		66.6666 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CL2-066.6666	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC1-F3C-80M6400000	-	RFQ	8271	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VT-804-EAE-5070-12M0000000	-	RFQ	9709	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
VCC1-B3B-25M0000000	-	RFQ	6701	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6011ME2B-016.0000	-	RFQ	5580	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011ME2B-016.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6101JL2B-033.3333	0.8700	RFQ	9394	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6101	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI2-062.5000T	-	RFQ	9012	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	62.5 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DSC1001BI2062.5000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1001DI3-024.0000VAO	-	RFQ	2628	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	24 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DI3-024.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
VCC1-1548-20M0000000TR	-	RFQ	7732	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.8V ~ 5V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-1548-20M0000000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	30ma	결정	-	-	-	30µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²