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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC6001CE2A-010.0000	1.0800	RFQ	954	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		10MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001AL5-010.0000	-	RFQ	2071	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1001	10MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6001HE2A-027.0000T	-	RFQ	6211	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC1-B3B-133M000000	-	RFQ	9338	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VT-860-FFH-5070-26M0000000	-	RFQ	9800	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6101ML3B-014.7456	-	RFQ	7663	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	14.7456 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6101ML3B-014.7456	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1203BI2-200M0000	-	RFQ	5259	마이크로 마이크로 기술	DSC1203	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		200MHz	LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1203BI2-200M0000	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	32MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC1223DI2-148M3516	2.5500	RFQ	4557	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	148.3516 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223DI2-148M3516	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC1001AI2-125.0000	-	RFQ	5303	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1003CI5-040.0000	-	RFQ	8143	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1003CI5-040.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC1-B3D-12M0000000	-	RFQ	4350	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1102NI5-400.0000	-	RFQ	3094	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1102	400MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1102NI5-400.0000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	58ma	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1123BL5-125.0000	5.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC6011JE1A-020.0000T	-	RFQ	3521	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VDUGSD-16M3840000	-	RFQ	6257	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
DSC1001DL1-080.0000	1.0800	RFQ	5321	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	80MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VV-701-EAE-KNAE-14M6285710	-	RFQ	1045	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
MO-9000AE-6K-ES-19M2000000	-	RFQ	1960	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VC-714-0003-200M000000	-	RFQ	2287	마이크로 마이크로 기술	VC-714	조각	활동적인	-55 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	-	2.5V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-714-0003-200M000000	귀 99	8542.39.0001	100	-	70ma	결정	-	-	-	-
DSC6102JI2B-100.0000T	-	RFQ	6025	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6102	100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1102CI1-135.0000T	-	RFQ	2733	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102	135 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	58ma	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1001CL2-006.0053T	-	RFQ	8240	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	6.0053 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CL2-006.0053TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1122AI2-100.0000T	-	RFQ	4404	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1122	100MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCUGCA-60M0000000	-	RFQ	3299	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
VT-822-EAE-2560-20M0000000	-	RFQ	5770	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6011JI3B-001.0640	-	RFQ	1340	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6011	1.064 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI3B-001.0640	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6013HI2B-012.0000T	-	RFQ	8637	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6013HI2B-012.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
VC-709-0047-200M000000	-	RFQ	7742	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	-	-	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-709-0047-200M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-	-	결정	-	-	-	-
DSC6001HE2A-026.0000	-	RFQ	6016	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1123CI1-027.0000T	-	RFQ	7460	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	27 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²