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발진기 (15893)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| DSA1103CL1-075.0000VAO | - | | 7492 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1103 | 75MHz | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1103CL1-075.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||
 | DSC6001JE1B-020.0000 | - | | 8758 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6001 | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JE1B-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||
| DSA1123DA1-100.0000TVAO | - | | 5760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | 그래서 (톱) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1123DA1-100.00000000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||
| DSC6311JI1AB-025.0000 | - | | 2258 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JI1AB-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 1.5µA (() | |||
| DSA6101ML2B-026.0000VAO | - | | 2857 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101ML2B-026.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
| DSC1122DE5-254.6500 | - | | 3821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1122 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 254.65 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1122DE5-254.6500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 58ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||
| DSC1222DE2-445M5000T | - | | 3656 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 445.5 MHz | lvpecl | 2.5V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222DE2-445M5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 23MA (유형) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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