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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1123DI1-322.2656T	-	RFQ	9085	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	322.2656 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DI1-322.2656TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DL5-028.6363T	-	RFQ	4327	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		28.6363 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DL5-028.6363TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1253BE1-156M2500T	-	RFQ	5799	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1253	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1253BE1-156M2500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1103DE5-254.6500T	-	RFQ	7854	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	254.65 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103DE5-254.6500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1253BE1-156M2500	-	RFQ	7488	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1253	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1253BE1-156M2500	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
MO-9100AE-6B-EE-25M0000000	-	RFQ	1039	마이크로 마이크로 기술	MO-9100A	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	3.3v	-		1 (무제한)		150-MO-9100AE-6B-EE-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	33MA	결정	± 10ppm	-	-	31MA
DSC6011HA2B-025.0000	-	RFQ	9153	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HA2B-025.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
DSC1204CI2-100M0000	2.8600	RFQ	1362	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	HCSL	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1204CI2-100M0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	40ma (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC6003JI1B-100K000T	-	RFQ	6426	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		100 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JI1B-100K000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6001JI1B-024.0000	-	RFQ	1320	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI1B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSA6001JL3B-024.5760TVAO	-	RFQ	1847	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6001	24.576 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6001JL3B-024.5760TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6331JI1DB-075.0000T	-	RFQ	2801	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		75MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI1DB-075.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 1.50%, 50 스프레드	-
DSC1103CL5-156.2500	-	RFQ	7615	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-156.2500	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1221BI3-25M00000T	-	RFQ	3191	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1221	25MHz	CMOS	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1221BI3-25M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSA6102MI3B-038.4000TVAO	-	RFQ	9617	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		38.4 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6102MI3B-038.4000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6001HI2B-003.5900T	-	RFQ	5987	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		3.59 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HI2B-003.5900TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6301JI2GB-024.0000	-	RFQ	7569	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6301JI2GB-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-0.25%, 하향 확산	-
DSC6101JA2B-050.0000T	-	RFQ	2875	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JA2B-050.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
DSC6011JI3B-012.0000	-	RFQ	4162	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI3B-012.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	1.5µA
DSC6311JI2EB-018.4320	-	RFQ	5764	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		18.432 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JI2EB-018.4320	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 2.00%, 00 스프레드	1.5µA (()
DSC1123AE2-085.0000T	-	RFQ	4839	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		85MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123AE2-085.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001CI2-020.7500	-	RFQ	1598	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20.75 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI2-020.7500	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1103CE5-254.6500T	-	RFQ	1822	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		254.65 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CE5-254.6500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1202DI1-156M2500	-	RFQ	4903	마이크로 마이크로 기술	DSC12X2	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1202	156.25 MHz	lvpecl	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1202DI1-156M2500	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	50MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	5µA
DSA1123CL2-135.0000TVAO	-	RFQ	3170	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	그래서 (톱)		135 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1123CL2-135.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA6331JL1CB-027.0000VAO	-	RFQ	5409	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6331	27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6331JL1CB-027.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
DSA6112JL3B-054.0000TVAO	-	RFQ	5463	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		54 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6112JL3B-044.00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1121CI2-045.0000	-	RFQ	8706	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		45MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121CI2-045.0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA1001DL3-045.0000TVAO	-	RFQ	5494	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		45MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DL3-045.00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1001CL3-040.0000T	-	RFQ	7846	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CL3-040.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²