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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1123DL5-206.5000 Microchip Technology DSC1123DL5-206.5000 -
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 206.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6301JI2DA-025.0000T Microchip Technology DSC6301JI2DA-025.0000T -
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
VT-820-JFE-206A-40M0000000 Microchip Technology VT-820-JFE-206A-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC6-QCD-200M000000 Microchip Technology VCC6-QCD-200M000000 -
RFQ
 ECAD 8842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA1223CL3-125M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL3-125M0000VAO -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL3-125M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1123CI2-266.5000 Microchip Technology DSC1123CI2-266.5000 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 266.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - -
VTB1-1011-40M0000000 Microchip Technology VTB1-1011-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VTB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 50 ° C - 0.720 "L x 0.472"W (18.30mm x 12.00mm) 0.197 "(5.00mm) 표면 표면 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 TCXO 40MHz HCMOS, TTL - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VTB1-1011-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 20MA 결정 - - - -
MO-9100AE-4F-EE-2M04800000 Microchip Technology MO-9100AE-4F-EE-2M04800000 -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI2-003.8000T Microchip Technology DSC1001CI2-003.8000T -
RFQ
 ECAD 1875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
VCC1-109-32M0000000 Microchip Technology VCC1-109-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DL5-006.0000 Microchip Technology DSC1001DL5-006.0000 -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-006.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC4-H3D-33M0000000 Microchip Technology VCC4-H3D-33M0000000 -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123CI1-027.0000 Microchip Technology DSC1123CI1-027.0000 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VCC4A-B3C-12M0000000TR Microchip Technology vcc4a-b3c-12m0000000tr -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc4a 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 150-VCC4A-B3C-12M0000000tr 1 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 100ppm - - 10µA
DSC6011CI1A-013.5600 Microchip Technology DSC6011CI1A-013.5600 -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
DSC1103CI1-200.0000 Microchip Technology DSC1103CI1-200.0000 3.8400
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1018DI2-015.0000 Microchip Technology DSC1018DI2-015.0000 -
RFQ
 ECAD 6649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001DI5-013.3333T Microchip Technology DSC1001DI5-013.3333T -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 13.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VC-714-ECE-KAAN-150M000000TR Microchip Technology VC-714-ECE-KAAN-150M0000TTR -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-714 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 150MHz lvpecl 3.3v 다운로드 150-VC-714-ECE-KAAN-150M0000TR 1 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 50ppm - - -
VT-827-EFH-206A-40M0000000 Microchip Technology VT-827-EFH-206A-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-827 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-827-EFH-206A-40M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 진폭 진폭 2MA 결정 ± 2ppm ± 5ppm - -
DSC6001HI2A-026.0000T Microchip Technology DSC6001HI2A-026.0000T -
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001HI2A-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA6101ML3B-014.7456TVAO Microchip Technology DSA6101ML3B-014.7456TVAO -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 14.7456 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML3B-014.7456TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6183HI1A-720K000 Microchip Technology DSC6183HI1A-720K000 -
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 720 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6183HI1A-720K000 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001DI2-032.7680 Microchip Technology DSC1001DI2-032.7680 -
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32.768 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
HTM6101MA2B-050.0000 Microchip Technology HTM6101MA2B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101MA2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122AE1-025.0000 Microchip Technology DSC1122AE1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1722 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 25MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6011JA1B-040.0000 Microchip Technology DSC6011JA1B-040.0000 -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JA1B-040.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001AI1-012.0000T Microchip Technology DSC1001AI1-012.0000T -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC4-B3D-25M0000000TR Microchip Technology vcc4-b3d-25m0000000tr -
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-B3D-25M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC6101JI1B-019.2000T Microchip Technology DSC6101JI1B-019.2000T -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 19.2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI1B-019.2000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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