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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1101DL5-052.8000T Microchip Technology DSC1101111DL5-052.8000T -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 52.8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-827-EDE-KAAN-200M000000 Microchip Technology VC-827-ede-kaan-200m000000 -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-827-EDE-KAAN-200M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001CE1-012.5000 Microchip Technology DSC1001CE1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
HT-MM900AE-9K-EE-125M000000 Microchip Technology HT-MM900AE-9K-EE-125M000000 -
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-840-HAE-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-840-HAE-FAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3B-73M7280000 Microchip Technology VCC1-B3B-73M7280000 -
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 ECAD 3291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-JAE-KAAN-20M0000000 Microchip Technology VC-820-JAE-KAAN-20M0000000 -
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 ECAD 7342 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1125CA1-012.0000TVAO Microchip Technology DSA1125CA1-012.0000TVAO -
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 ECAD 3961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1125 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1125 12MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6331MI1HB-033.3333T Microchip Technology DSC6331MI1HB-033.3333T -
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.3333 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331MI1HB-033.333333TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -0.50%, 50 스프레드 -
DSC1001AI5-008.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-008.0000T -
RFQ
 ECAD 1288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1003DI2-033.3333T Microchip Technology DSC1003DI2-033.3333T -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 33.3333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003DI2-033.333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
MV-9400AE-D1F-EEK100M000000 Microchip Technology MV-9400AE-D1F-EEK100M000000 -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6101JI2A-008.0000T Microchip Technology DSC6101JI2A-008.0000T -
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-704-EFE-5070-40M0000000 Microchip Technology VT-704-EFE-5070-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101DE2-045.1584 Microchip Technology DSC110111DE2-045.1584 -
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 ECAD 6764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 45.1584 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI5-004.0000T Microchip Technology DSC1001DI5-004.0000T -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
MXT573ABC200M000 Microchip Technology MXT573ABC200M000 -
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 ECAD 1387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO MXT573ABC200M000 200MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 5ppm - - -
DSC1001BL1-027.0000T Microchip Technology DSC1001BL1-027.0000T 1.0000
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-820-0044-25M0000000TR Microchip Technology VC-820-0044-25M0000000tr -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-0044-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 - - - 10µA
VC-820-EAE-KAAN-3M19330000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-3M19330000 -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.1933 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-3M19330000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSC1030BC1-001.8432T Microchip Technology DSC1030BC1-001.8432T -
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 1.8432 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
VT-841-JFE-5070-38M4000000 Microchip Technology VT-841-JFE-5070-38M4000000 -
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 1.8V - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 2.5MA 결정 ± 500ppb - - -
VC-820-HAE-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-820-HAE-FAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101CI2-066.6667T Microchip Technology DSC1101CI2-066.6667T -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 66.6667 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VC-709-119-156M250000 Microchip Technology VC-709-119-156M250000 -
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1122CI2-062.5000T Microchip Technology DSC1122CI2-062.5000T -
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 62.5 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1103NE2-148.5000 Microchip Technology DSC1103NE2-148.5000 -
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103NE2-148.5000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1033CC1-026.0000 Microchip Technology DSC103333CC1-026.0000 -
RFQ
 ECAD 7015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 26 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCC1-B3D-65M0000000 Microchip Technology VCC1-B3D-65M0000000 -
RFQ
 ECAD 7439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3D-65M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1123BI2-212.5000T Microchip Technology DSC1123BI2-212.5000T -
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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