RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1033BI1-012.0000	-	RFQ	8940	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	12MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VCC1-1558-1M04857000	-	RFQ	3384	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		1.04857 MHz	CMOS	-	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-1558-1M04857000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-	-	결정	-	-	-	-
DSC1001CE2-033.3333T	-	RFQ	9875	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001001001001CE2-033.33333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지입니다	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
MX555ABC100M000	-	RFQ	9880	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX555ABC100M000	귀 99	8542.39.0001	60
DSC1001BE5-027.0000	-	RFQ	4657	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001BE5-027.0000	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
MX574BBD322M265-TR	-	RFQ	8825	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX574BBD322M265	322.265625 MHz	HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001AI5-016.3840T	-	RFQ	3014	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)	DSC1001	16.384 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC1-F3F-20M0000000	-	RFQ	8155	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA1101BA3-008.00000000TVAO	-	RFQ	3993	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BA3-008.00000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC6001HI2B-038.4000T	-	RFQ	6127	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		38.4 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HI2B-038.4000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6101MI2B-024.0000	-	RFQ	6312	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101MI2B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001AI1-032.0000	-	RFQ	4146	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		32 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001AI1-032.0000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VC-711-EDW-EAAN-125M000000	-	RFQ	8141	마이크로 마이크로 기술	VC-711	조각	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	LVD	3.3v	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	33MA	결정	± 20ppm	-	-	-
VTD3-J02E-50M0000000	-	RFQ	7118	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121AE5-025.0000	-	RFQ	5586	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121AE5-025.0000	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6001HE1A-016.0000T	-	RFQ	4465	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6001MI2B-016.6660	-	RFQ	7752	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		16.666 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001MI2B-016.6660	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
MX555ABA750M000	-	RFQ	3940	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555	750MHz	lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6101HL3B-025.0000	1.1400	RFQ	2599	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1201DA3-25M00000T	-	RFQ	2882	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201DA3-25M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1123CI2-148.3516	-	RFQ	7001	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		148.3516 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123CI2-148.3516	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA1123CL2-100.0000TVAO	-	RFQ	4069	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1123	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1123CL2-100.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA6111HL1B-018.4320VAO	-	RFQ	1796	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6111HL1B-018.4320VAO	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1121AM1-027.0000T	-	RFQ	2898	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1121	27 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1123DI1-054.0000T	-	RFQ	8852	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		54 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DI1-054.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CL2-020.0000T	-	RFQ	6125	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1202DI3-156M0000T	-	RFQ	1131	마이크로 마이크로 기술	DSC12X2	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1202	156 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1202DI3-156M0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	50MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1001AL5-029.4912	-	RFQ	6896	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)		29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001AL5-029.4912	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1101CI5-022.5792	-	RFQ	2702	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	22.5792 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
VCC6-RCF-250M000000	-	RFQ	7732	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²