RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1123CI2-432.0000	3.2000	RFQ	7928	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	432 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCC6-QCD-125M000000	-	RFQ	7805	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001BL5-001.1385T	-	RFQ	1174	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	1.1385 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1121NE5-125.0000	-	RFQ	6858	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1221DI1-25M00000	-	RFQ	5213	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		25MHz	CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DI1-25M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001DL2-027.0000T	1.2900	RFQ	8061	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6331JI3CB-018.4320	-	RFQ	7845	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		18.432 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI3CB-018.4320	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
MX555ABBB550M0000-TR	-	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABB50	50MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1223NE1-125M0000T	-	RFQ	2983	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223NE1-125M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSA1104DL2-156.2500VAO	-	RFQ	1189	마이크로 마이크로 기술	DSA1104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	HCSL	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1104DL2-156.2500VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	42MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1121BM2-120.0000	-	RFQ	5841	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	120MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6311JI1HA-028.6364	-	RFQ	4312	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		28.6364 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	-	-	-	80µA (타이핑)
VCC1-B3F-14M3180000	-	RFQ	4607	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1122DL2-220.0000T	-	RFQ	6845	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	220MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	-	± 25ppm	-	22MA
FX-700-EAE-PNKN-BN-H2	-	RFQ	8571	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	200
VC-801-JA7-KAAN-25M0000000	-	RFQ	7963	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6311ML2DB-016.6700T	-	RFQ	5080	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6311	16.67 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311ML2DB-016.6700TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 1.50%, 50 스프레드	-
VCC1-A3C-1M84320000	-	RFQ	6295	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		1.8432 MHz	CMOS	5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-A3C-1M84320000tr	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	10MA	결정	± 100ppm	-	-	30µA
DSC1033CI1-002.0480	-	RFQ	1749	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		2.048 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001BI2-040.0000	0.9600	RFQ	8000	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6311JI2IA-027.0000	-	RFQ	9426	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1123BE2-085.0000	-	RFQ	8191	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	85MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123BE2-085.0000	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001CL1-016.0000T	-	RFQ	7386	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	16MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6101MI2B-006.1679	-	RFQ	8200	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	6.1679 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6101MI2B-006.1679	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103CI2-103.1250T	-	RFQ	7222	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	103.125 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
HT-MM900AC-9E-EE-25M0000000	-	RFQ	6718	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		25MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-HT-MM900AC-9E-EE-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	5MA	결정	± 20ppm	-	-	-
DSC6101JL2B-033.3333	0.8700	RFQ	9394	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6101	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC1-F3C-80M6400000	-	RFQ	8271	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6301MI2BA-038.0000T	-	RFQ	2897	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		38MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1121DM2-100.0000T	-	RFQ	4733	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²