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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-844-ECF-GAAN-156M250000TR Microchip Technology VC-844-ECF-GAAN-156M250000TR -
RFQ
 ECAD 7735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-844 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-844-ECF-GAAN-156M250000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 30ppm - - -
DSC1001CI2-012.5000T Microchip Technology DSC1001CI2-012.5000T 0.9200
RFQ
 ECAD 9101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-709-ECE-KAAN-122M880000 Microchip Technology VC-709-ECE-KAAN-122M880000 -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 122.88 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 50ppm - - -
VT-820-JFE-5070-40M0000000 Microchip Technology VT-820-JFE-5070-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123BI5-155.5200T Microchip Technology DSC1123BI5-155.5200T -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 155.52 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6331JA2AB-025.0000T Microchip Technology DSC6331JA2AB-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2AB-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1121CL2-040.0000T Microchip Technology DSC1121CL2-040.0000T -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1103CI5-337.6000 Microchip Technology DSC1103CI5-337.6000 -
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 337.6 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CI5-337.6000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
OSC-1B1-20M0000000 Microchip Technology OSC-1B1-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101JI2B-049.1520T Microchip Technology DSC6101JI2B-049.1520T -
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 49.152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-049.1520TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI5-001.6000T Microchip Technology DSC1001BI5-001.6000T -
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 1.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC6311CI2BA-024.0000T Microchip Technology DSC6311CI2BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6311CI2BA-024.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC1121CM1-010.0000T Microchip Technology DSC1121CM1-010.0000T -
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA1001DL2-010.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-010.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 10MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-010.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BI2-114.2850T Microchip Technology DSC1001BI2-114.2850T -
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 114.285 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CE1-026.0000 Microchip Technology DSC1001CE1-026.0000 -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011JI2B-027.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-027.0000T -
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI5-022.5792 Microchip Technology DSC1001DI5-022.5792 1.7750
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6101CI1A-066.6670T Microchip Technology DSC6101CI1A-066.6670T -
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 66.667 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
HT-MM900AC-4K-EE-30M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-4K-EE-30M0000000 -
RFQ
 ECAD 3565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
MX574BNR322M265 Microchip Technology MX574BNR322M265 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574BNR322M265 322.265 MHz PECL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx574bnr322m265 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001DI2-018.4320 Microchip Technology DSC1001DI2-018.4320 -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 18.432 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001AE2-040.6080 Microchip Technology DSC1001AE2-040.6080 -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 40.608 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1122CE5-048.0020T Microchip Technology DSC1122CE5-048.0020T -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 48.002 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001CI1-012.0000T Microchip Technology DSC1001CI1-012.0000T -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1003BI1-040.0000 Microchip Technology DSC1003BI1-040.0000 -
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 40MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 7.4ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6331JI1IB-046.0800 Microchip Technology DSC6331JI1IB-046.0800 -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 46.08 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI1IB-046.0800 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -1.00%, 00 확산 -
DSC1001CE1-032.0000T Microchip Technology DSC1001CE1-032.0000T -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011HI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
VT-501-EAE-1060-20M0000000 Microchip Technology VT-501-EAE-1060-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 9785 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-501 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) 0.087 "(2.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO VT-501 20MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 24MA 결정 ± 1ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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