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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-801-EAE-KABN-10M0000000 Microchip Technology VC-801-EAE-KABN-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 1135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-KABN-10M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSA1001DI1-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-050.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-050.000000000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1122NI2-150.0000T Microchip Technology DSC1122NI2-150.0000T -
RFQ
 ECAD 8972 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 150MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001CE1-110.0000 Microchip Technology DSC1001CE1-110.0000 -
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 110MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VTD3-J0BC-19M2000000 Microchip Technology VTD3-J0BC-19M2000000 -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1223CL1-156M2500T Microchip Technology DSC1223CL1-156M2500T -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CL1-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
HTM6111JA2B-040.0000T Microchip Technology HTM6111JA2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6111JA2B-040.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
HT-MM900AE-4K-EE-8M00000000 Microchip Technology HT-MM900AE-4K-EE-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VT-841-JFE-5070-52M0000000 Microchip Technology VT-841-JFE-5070-52M0000000 -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001AI2-033.0000T Microchip Technology DSC1001AI2-033.0000T -
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123AE1-200.0000 Microchip Technology DSC1123AE1-200.0000 2.7500
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VV-800-EAE-SAAN-25M0000000 Microchip Technology VV-800-EAE-SAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-800 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VV-800-EAE-SAAN-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 20ppm ± 100ppm - -
DSC6001JI2A-050.0000 Microchip Technology DSC6001JI2A-050.0000 -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DE1-074.2500T Microchip Technology DSC1001DE1-074.2500T -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 74.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6003HE2A-002.0480 Microchip Technology DSC6003HE2A-002.0480 -
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-820-EFE-1060-10M0000000 Microchip Technology VT-820-EFE-1060-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 7448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1122CI5-156.2578T Microchip Technology DSC1122CI5-156.2578T -
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.2578 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001CI5-020.0000T Microchip Technology DSC1001CI5-020.0000T -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033BE1-040.0000T Microchip Technology DSC1033BE1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 40MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6003JI2B-120K000T Microchip Technology DSC6003JI2B-1220K000T -
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 120 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-1220K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1222DE2-445M5000 Microchip Technology DSC1222DE2-445M5000 -
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 445.5 MHz lvpecl 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222DE2-445M5000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
CD-700-EAE-KKNN-32M7680000 Microchip Technology CD-700-EAE-KKNN-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1123BI2-206.0000T Microchip Technology DSC1123BI2-206.0000T -
RFQ
 ECAD 1629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 206 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001AE1-024.5761 Microchip Technology DSC1001AE1-024.5761 -
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.5761 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6001MI3B-026.0000T Microchip Technology DSC6001MI3B-026.0000T -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI3B-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
VC-708-ECW-SNXN-80M000000 Microchip Technology VC-708-ECW-SNXN-80M000000 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1223NI1-106M2500T Microchip Technology DSC1223NI1-106M2500T -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NI1-106M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VT-704-EAE-1060-32M7680000 Microchip Technology VT-704-EAE-1060-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6101JI1B-080.0000T -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI1B-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123CI2-148.5000 Microchip Technology DSC1123CI2-148.5000 -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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