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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VCC6-LAD-200M000000 Microchip Technology VCC6-LAD-200M000000 -
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q12690253A 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1121DI2-025.0000T Microchip Technology DSC1121DI2-025.0000T 1.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI2-003.6864T Microchip Technology DSC1001DI2-003.6864T -
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6111JI1B-014.7456 Microchip Technology DSC6111JI1B-014.7456 0.8640
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-014.7456 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI5-080.0000T Microchip Technology DSC1001DI5-080.0000T -
RFQ
 ECAD 3688 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6111CI2A-025.0000T Microchip Technology DSC6111CI2A-025.0000T -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6111CI1B-048.0000T Microchip Technology DSC6111CI1B-048.0000T 0.8760
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111CI1B-048.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DC2-027.0000T Microchip Technology DSC1001DC2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DL2-054.0000VAO Microchip Technology DSA1001111DL2-054.0000VAO -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 54 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103AI5-156.2500T Microchip Technology DSC1103AI5-156.2500T -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1103 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001CI1-014.7456T Microchip Technology DSC1001CI1-014.7456T -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123NL1-148.5000T Microchip Technology DSC1123NL1-148.5000T -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123NL1-148.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VT-501-EAE-156A-40M9600000 Microchip Technology VT-501-EAE-156A-40M9600000 -
RFQ
 ECAD 4046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1004DL1-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1004DL1-100.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 100MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1004DL1-100.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA6301HL1AB-027.0000TVAO Microchip Technology DSA6301HL1AB-027.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6301 27 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6301HL1AB-027.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6011JI2A-033.0000 Microchip Technology DSC6011JI2A-033.0000 -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123AI2-025.0000T Microchip Technology DSC1123AI2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 25MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VPC1-B1B-100M000000 Microchip Technology VPC1-B1B-100M000000 -
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-E3F-24M5454540 Microchip Technology VCC1-E3F-24M5454540 -
RFQ
 ECAD 9775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI5-014.3181T Microchip Technology DSC1001DI5-014.3181T -
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 14.3181 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 10ppm - 15µA
MX554EBB280M000-TR Microchip Technology MX554EBB280M000-TR -
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX554EBB280M000 280MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1525MA1A-100M0000T Microchip Technology DSC1525MA1A-100M0000T -
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 100MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - 7.8ma
VC-709-ECE-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-709-ECE-KAAN-100M000000 -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-B3F-18M4320000 Microchip Technology VCC1-B3F-18M4320000 -
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-18M4320000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1101BE5-024.5760T Microchip Technology DSC1101BE5-024.5760T -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6111JI3B-024.8060 Microchip Technology DSC6111JI3B-024.8060 -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24.806 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI3B-024.8060 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1033DI2-032.0000T Microchip Technology DSC103333DI2-032.0000T -
RFQ
 ECAD 8400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 32 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1121NE2-020.0000T Microchip Technology DSC1121NE2-020.0000T -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121NE2-020.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6101CI2A-033.3300 Microchip Technology DSC6101CI2A-033.3300 -
RFQ
 ECAD 7463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1101CE1-004.0960 Microchip Technology DSC1101CE1-004.0960 -
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 4.096 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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