RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1033CI1-050.0000T	-	RFQ	2333	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	4MA	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VT-501-DAG-106B-32M0000000	-	RFQ	4195	마이크로 마이크로 기술	VT-501	조각	활동적인	-30 ° C ~ 80 ° C	-	0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm)	0.087 "(2.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	vctcxo		32 MHz	CMOS	5V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VT-501-DAG-106B-32M0000000	귀 99	8542.39.0001	100	진폭 진폭	24MA	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	-
DSC6083JI2A-032K786	-	RFQ	4114	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	140	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121DE3-150.3330	-	RFQ	5685	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	150.333 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	-	± 20ppm	-	22MA
DSA1101BA3-008.00000000TVAO	-	RFQ	3993	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BA3-008.00000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC6003CI2A-016.0000T	-	RFQ	1136	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.25MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001CI1-064.0000T	-	RFQ	9354	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	64 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	-	± 50ppm	-	15µA
DSC1001BL5-001.1385T	-	RFQ	1174	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	1.1385 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1123CI2-432.0000	3.2000	RFQ	7928	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	432 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1121NE5-125.0000	-	RFQ	6858	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1121AM1-026.0000T	-	RFQ	3960	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		26 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1121AM1-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6003CI2A-027.7100	-	RFQ	1618	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		27.71 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121CE2-066.6600T	-	RFQ	3865	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	66.66 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCC1-B2D-40M0000000	-	RFQ	5233	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA6101JL3B-027.00000000TVAO	-	RFQ	3221	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6101	27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101JL3B-027.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6111JI1B-026.0000T	0.8640	RFQ	2994	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JI1B-026.0000TTR			1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VCC6-QCD-125M000000	-	RFQ	7805	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VC-820-EAE-KAAN-3M13600000	-	RFQ	7182	마이크로 마이크로 기술	VC-820	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		3.136 MHz	CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VC-820-EAE-KAAN-3M13600000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	6MA	결정	± 50ppm	-	-	5µA
DSC6102MA2B-008.0000T	-	RFQ	3028	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6102MA2B-008.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001HI2B-038.4000T	-	RFQ	6127	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		38.4 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HI2B-038.4000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1003BI5-001.6500	-	RFQ	6777	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1003	1.65 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6001HE2A-010.0000T	-	RFQ	1691	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		10MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC1001CL1-111.0000	-	RFQ	5757	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	111 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1123CI1-050.0000T	1.9400	RFQ	6399	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	50MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
M906101JI1B-050.0000	-	RFQ	7381	마이크로 마이크로 기술	M9061XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드				150-M906101JI1B-050.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1103CI5-045.0000T	-	RFQ	1255	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	45MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1001DI2-024.0004T	-	RFQ	8497	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24.0004 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VC-830-ede-kaan-200m0000000tr	-	RFQ	7791	마이크로 마이크로 기술	VC-830	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	LVD	3.3v	다운로드				150-VC-830-EDE-KAAN-200M0000000TR			1	활성화/비활성화	66MA	결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSA6141HA1B-018.3420VAO	-	RFQ	2749	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		18.342 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6141HA1B-018.3420VAO	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1122BE1-156.2500T	3.0700	RFQ	11	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	156.25 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²